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采用电位—电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在5% Na2SO4溶液中失效过程的导电机制转变行为.防锈油膜在5% Na2SO4溶液中的失效过程存在半导体导电特征,随着浸泡时间的延长,防锈油膜从浸泡初期的p型半导体转变为n型半导体,转变过程中,防锈油膜中出现两个空间电荷过渡层.随着浸泡时间的延长,防锈油膜中的空间电荷层厚度皆逐渐减小,载流子密度则逐渐增加,并且计算了不同转变时期防锈油膜中的电子给体(ND)和电子受体(NA)密度大小. 相似文献
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利用3-氨基-1,2,4-三氮唑(ATA)金属处理剂在Cu-Ni合金表面制备了自组装单分子膜(SAMs),用电化学方法研究ATA SAMs对Cu-Ni合金的缓蚀作用及其吸附行为.结果表明, ATA分子易在Cu-Ni合金表面形成稳定的ATA SAMs,抑制了Cu-Ni合金的阳极氧化过程,改变了电极表面双电层结构,使零电荷电位正移,固/液界面双电层电容明显降低,有良好的缓蚀效果,这与交流阻抗和极化曲线得到的结论一致.同时研究表明ATA的吸附行为符合Langmuir吸附等温式,吸附机理是典型的化学吸附. 相似文献
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在硼酸镀液中以单晶S i(111)为基底用双槽法制备Cu/Co多层膜,在镀液中分别加入了镀铜添加剂2000#和镀钴添加剂5#。探讨了镀层电结晶成核机理,在基础镀液中铜电结晶为三维连续成核过程,钴电结晶在较低电位下为三维连续成核,在较高电位下为三维瞬时成核过程。加入添加剂后,铜、钴电结晶均为三维瞬时成核过程。测试了Cu/Co多层膜的磁性能;添加剂能提高多层膜的磁性能,无添加剂的Cu/Co多层膜的巨磁阻(GMR)值约为5%,而在加入了添加剂后,其GMR值高达52%。 相似文献
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在硼酸镀液体系中采用流动槽滴入法电结晶制得Cu/Co纳米多层膜,通过循环伏安法确定Cu、Co电结晶电位,分别为-0.55V和-1.05V(vs.SCE),通过X射线衍射技术(XRD)和X射线荧光光谱法(XRF)对Cu/Co纳米多层膜的结构、成份进行了分析.并用物性测量系统PPMS测试了Cu/Co多层膜的磁性能,结果表明:电结晶制备的Cu/Co多层膜的矫顽力比较小,仅为34 Oe,适合作巨磁阻磁头材料,其磁电阻随磁场强度的增大而减小,且约在3000 Oe时磁电阻趋于饱和,此时的巨磁阻效应GMR值达到了14%. 相似文献
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Co在Pt(111)面上电结晶的STM及REM研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用0.05mol/L H3BO3+0.01mol/L CoSO4溶液,在Pt(111)面上获得了电结晶Co利用电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)及反射电子显微镜(REM),观察了不同过电位时Co的成膜过程,证实了Co在Pt(111)面上的电结晶均为三维岛状生长方式。 相似文献
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