排序方式: 共有13条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
利用超高真空化学气相淀积系统,通过控制淀积量、温度、流量等生长参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,用原子力显微镜进行了表征与分析.系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛的生长机理.结果表明,从二维向三维岛跃迁后,最初形成的高宽比(高度与底宽的比值)在0.04~0.06之间的小岛是一种在低温下可以与圆顶岛共存的稳定岛,两种岛的分布随淀积参数的变化而变化.在高温下小岛几乎消失,流量的变化对小岛的密度影响较小.实验中获得小岛的密度最高为2.6×1010cm-2,圆顶岛的密度最高为4.2×109cm-2. 相似文献
2.
3.
以3-氨丙基三乙氧基硅烷(3-APTES)为表面修饰剂,利用乙氧基与SnO2表面羟基之间的化学反应,将SiO2化学接枝于SnO2表面,以阻止SnO2晶粒热生长。采用SEM、TEM、FT-IR、XRD和EDS等技术对改性后纳米SnO2进行结构表征。结果表明,SiO2通过Sn—O—Si化学键与SnO2相连接,SiO2被高度分散于SnO2表面。经1000℃高温煅烧后,SnO2平均粒径改性前后分别为95和10nm。SiO2作为第二相,阻碍了晶界的移动,增加了晶粒生长活化能,从而有效地限制了晶粒高温生长,提高了纳米SnO2的热稳定性。 相似文献
4.
5.
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统,在不同的温度、环境氛围及脱O过程参与等条件下对全息法制备的二维周期图形Si衬底进行退火,通过原子力显微镜(AFM)进行表征与分析,研究真空高温脱O过程对图形衬底表面形态变化的影响。结果表明,真空环境使衬底表面的Si原子可以自由运动,脱O过程增强了Si原子在表面的迁移,温度会影响Si原子的扩散速率,3个因素的共同作用导致图形深度变浅,侧壁坡度变缓。此外,在周期图形台面的边缘,观察到环形有序分布的纳米Si岛。 相似文献
6.
分析了液黏软启动装置的工作原理,针对该装置的传动控制方法,建立了比例压力控制系统的数学模型。使用Matlab软件中的Simulink工具箱根据建立的数学模型对动态响应特性进行了仿真,通过实验证明了仿真结果的正确性。 相似文献
7.
通过单因素实验研究了工艺操作参数如粉尘含量、平均过滤速度和单位过滤面积的加料量(简称面加料量)对粉尘在布袋上沉积规律的影响.研究结果表明,粉尘在布袋长度方向上分布不均,中间凸起,上下两端逐渐减薄;在平均过滤速度和面加料量一定时,粉尘含量对粉尘层分布的影响可以忽略不计;平均过滤速度和面加料量对粉尘层的影响显著.还采用Gu... 相似文献
8.
水火弯板加工工艺过程复杂,对其数据进行有效管理是实现弯板精确成形数字化和工艺规划自动化的重要基础。利用C#语言和MySQL6.0开发了弯板数据库管理系统,该系统可以通过访问弯板机加工工艺数据库实现对弯板机加工工艺过程中各参数的可视化管理。 相似文献
9.
周志玉 《中国制造业信息化》2010,39(8):77-78
以机电产品中的数控机床为例,简述了数控机床的检测内容,论述了检测技术在企业中的应用,指出了机床检测过程中必须掌握的知识和技术。 相似文献
10.
周志玉 《机械设计与制造工程》2010,(8):77-78
以机电产品中的数控机床为例,简述了数控机床的检测内容,论述了检测技术在企业中的应用,指出了机床检测过程中必须掌握的知识和技术。 相似文献