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1.
利用二维模拟软件对部分耗尽SoI器件中的非对称掺杂沟道效应进行了模拟.详细地研究了该结构器件的电学性能,如输出特性,击穿特性.通过本文模拟发现部分耗尽SOI非对称掺杂沟道相比传统的部分耗尽SOI,能抑制浮体效应,改善器件的击穿特性.同时跟已有的全耗尽SOI非对称掺杂器件相比,部分耗尽器件性能随参数变化,在工业应用上具有可预见性和可操作性.因为全耗尽器件具有非常薄的硅膜,而这将引起如前栅极跟背栅极的耦合效应和热电子退化等寄生效应.  相似文献   
2.
铁电材料在铁电存储器等领域具有良好的应用前景,受到极大的关注,其中铋层状铁电薄膜因为其良好的铁电性,得到了广泛的研究.采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底成功沉积出(Bi3.7Dy0.3)(Ti2.8V0.2)O12(BDTV)的A、B位同时掺杂的铁电薄膜,发现这种双掺能够显著改善薄膜的铁电性.研究了650~800℃不同退火温度下,BDTV铁电薄膜的铁电性能、晶体结构及表面形貌变化.通过SEM分析发现,温度为750℃时,薄膜的颗粒生长较好,薄膜的铁电性能最佳.  相似文献   
3.
以厚度薄、透气透湿性好的柔性涤棉织物作为基布,采用工艺简单的溶胶-凝胶法和原位聚合法两步制备了PPy@Fe2O3核壳结构的复合织物,并研究了掺杂剂和氧化剂与吡咯的摩尔比对其电磁性能的影响。结果表明:当氧化剂和掺杂剂与吡咯摩尔比为2∶1时,复合织物的反射损耗最小,在13.0 GHz时达到最小值为-7.96 dB,可以吸收84.0%的电磁波,小于5 GHz的带宽达到11.4 GHz(6.6 GHz~18.0 GHz)。  相似文献   
4.
唐俊雄 《江西建材》2012,(3):190-191
随着我国国民经济的发展,公路工程建设是社会不可缺的重要部分,而在公路建设的过程中,施工成为建设管理最重要的一部分。在施工企业中,技术管理则是最基本的生产技术工作,在公路施工中也起到了的重要作用。而公路施工管理的核心就是公路施工技术管理,所以公路施工技术管理便成为了现代公路施工管理的重中之重。公路的质量在于整个公路的施工过程,只有将公路施工的每一个环节、每一道工序的施工技术管理到位,才能建造出质量有保证的高等级公路。因此,在公路施工的过程中,对施工技术进行科学的管理是极其重要的。本文就针对公路施工技术管理进行了浅谈,并对公路施工技术管理的具体方法作出了深入的分析。  相似文献   
5.
MXene作为一种新型二维纳米材料,具有导电性高、比表面积大、耐热性好和密度低等优点,是一种优良的导电填料,其在电磁屏蔽织物领域的应用也越来越多。文中简述MXene材料的合成过程及应用;介绍MXene的电磁屏蔽机理及其复合纤维制备方法,包括涂层法、双辊法、静电纺丝法、湿法纺丝法等,并对比各方法的优缺点;总结MXene在电磁屏蔽织物应用领域的最新研究进展。最后展望MXene在电磁屏蔽织物应用领域的发展方向,为新一代电磁屏蔽性能优异、稳定性强、力学性能强、舒适性好的MXene复合纤维的研究提供新思路。  相似文献   
6.
吸波材料能将电磁能转化为热能、机械能等其他形式的能量,进而可以从根本上解决电磁辐射问题。本文综述了碳系材料(碳纤维、碳纳米管、石墨烯、其他碳材料)与FeCo合金复合吸波材料、有机聚合物(聚吡咯、聚苯胺、环氧树脂)与FeCo合金复合吸波材料、MXene与FeCo合金复合吸波材料的最新研究进展,以及FeCo合金复合吸波材料在纺织领域的制备及应用,总结了FeCo合金复合吸波材料的优势。  相似文献   
7.
电磁吸波材料对于防护电磁辐射危害是极为有效的一种手段,吸波材料所具有的吸波性能对军用和民用都有重大意义。Metal-organic frameworks(MOFs)衍生碳基复合材料是一种新型吸波材料,具有合成工艺简单、热稳定性好、比表面积大、孔隙率高等优点。本文简要介绍电磁吸波机理,综述碳基复合吸波材料研究现状,分析MOFs衍生碳基复合材料在电磁吸波领域研究进展,展望MOFs衍生碳基复合吸波材料未来发展前景。  相似文献   
8.
提出了一个全耗尽SOI MOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型. 基于近似的抛物线电势分布模型,利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解. 同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型. 该温度模型详细地研究了电势分布和阈值电压跟温度之间的变化关系,同时还近似地探讨了短沟道效应. 为了进一步验证模型的正确性,利用SILVACO ATAS软件进行了相应的模拟. 结果表明,模型计算与软件模拟吻合较好.  相似文献   
9.
伴随着建筑行业的蓬勃发展,大体积混凝土被广泛应用到建筑工程之中。本文简要介绍了大体积混凝土的定义及大体积混凝土裂缝产生的原因,在施工过程中如何进行温度控制,防止裂缝的发生。  相似文献   
10.
利用二维模拟软件对部分耗尽SoI器件中的非对称掺杂沟道效应进行了模拟.详细地研究了该结构器件的电学性能,如输出特性,击穿特性.通过本文模拟发现部分耗尽SOI非对称掺杂沟道相比传统的部分耗尽SOI,能抑制浮体效应,改善器件的击穿特性.同时跟已有的全耗尽SOI非对称掺杂器件相比,部分耗尽器件性能随参数变化,在工业应用上具有可预见性和可操作性.因为全耗尽器件具有非常薄的硅膜,而这将引起如前栅极跟背栅极的耦合效应和热电子退化等寄生效应.  相似文献   
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