GaP(111)面氧的热脱附

一、引言GaP是与GaAs相类似的Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物。它在集成电路,发光器件,阴极等方面有着广泛的应用。对GaAs表面吸附已有了大量的研究。而对GaP表面的研究较少。本文报导用热脱附方法对GaP(111)面氧的吸附性质进行的研究。     

硝基甲烷在Cu(111)表面吸附的LEED、AES和UPS研究

本文介绍了在低温下运用LEED、AES和UPS研究硝基甲烷在Cu(111)表面的吸附成键和取向。AES和UPS的结果显示了硝基甲烷是以分子形式吸附在Cu(111)表面。随着硝基甲烷暴露量达2L时,与清洁铜表面相比功函数变化有最小值-0.75eV左右。暴露量再增大,功率数略增加,其变化值为-0.5eV。紫外光电子谱表明硝基甲烷是通过其前线轨道氧的2p电子与铜表面的d电子相互作用而产生吸附作用。     

角分辨光电子扩展精细结构谱

一、引言角分辨光电子谱作为表面电子结构研究的有力工具,是人们熟知的。由于光电子从邻近原子的散射而引起的终态相干性,使人们预计从角分辨光电子谱中也包含有表面结构的信息。1974年,Liebsch从理论上预言了这种相干作用,并认为在实验上是可观     

Na、O在n-GaAs(100)-(4×1)表面吸附以及共吸附的光电子谱研究

利用紫外光电子谱,对Na、O在n型GaAs(100)-(4×1)表面吸附及共吸咐作了详细研究。结果表明:随着GaAs(100)表面Na覆盖度的变化,其表面呈现不同的能带弯曲。当Na的覆盖度很低时(通常认为θ≤0.02ML).n-GaAs(100)表面能带向下弯曲量达0.3eV。但随着覆盖度的增加,最后费米能级钉扎在价带顶以上0.8eV处。另外,O在n-GaAs(100)-(4×1)表面吸附。暴露量达10~5L时,导致了向上0.2eV的能带弯曲。如果在吸氧的表面继续蒸Na,则其费米能级钉扎在价带顶以上1.0eV处。同时还可看到,由于Na存在,O_2在n型GaAs(100)-(4×1)表面有粘附系数将大大地提高。     

n-GaAs(100)表面及Na/n-GaAs(100)界面的光电子谱研究

采用X射线光电子谱(XPS)及紫外光电子谱(UPS),对经5keV Ar~+离子轰击后的n-GaAs(100)表面及其Na/GaAs(100)界面作了详细的研究。并且和Na/n-GaAs(100)-(4×1)界面进行比较,以揭示Ar~+离子轰击对金属/n-GaAs(100)界面的影响。结果表明,经5keV氩离子轰击后的n-GaAs(100)表面,其功函数较n-GaAs(100)-(4×1)表面大0.3eV。而且,Na在低覆盖度时(θ≤0.02ML)。轰击后的GaAs(100)表面,Na/n-GaAs(100)界面费米能级移动量为0.7eV,而Na/n-GaAs(100)-(4×1)界面,其费米能级移动量仅为0.3eV。     

多功能数字显示可调稳压电源

介绍一种能应用于多种实验的可调稳压电源，其中1路为0-30V可调电压输出；另外还备有2路固定电压输出，分别为1.5V和4.5V。     

Ag/Si(001)界面的LEED,AES和UPS研究(英文)

Si(001) surface is a more important surface for pratical application, but the study of metal-semiconductor interfaces on this surface is much less than on Si (111) surface. In this paper, the initial formation of the Ag/Si (001) interface is investigated by LEED, AES and UPS using He lamp. Results on room temperature adsorption of Ag on Si(001)(2×1) surface show a LEED pattern unchanged from the clean surface until gradual blurring. Being relative to the pure metal Ag, a shift and the shape of the 4d peak of Ag apprpted on Si (001) indicate that Ag/Si(001) is consistent with 2D island formation. With iacreasing coverage, the 4d peak shifts toward E while the second peak develops and thus intermixing Ag and Si atoms are formed.     

NO在Ru(100)和Cs/Ru(100)表面上吸附的ARUPS研究

150K的低温下，NO在清洁的Ru表面的吸附，HeⅡ-ARUPS显示在Ef以下9．3eV（5σ＋1π）和14．6eV（4σ）处有两个峰，表明NO在Ru表面上是分子吸附。NO－4σ峰强度随HeⅡ光入射角的变化说明NO分子是倾斜地吸附在Ru表面上，其倾斜趋向于原于间距较大的〈0001〉力位。对于NO在Cs／Ru表面的吸附，ARUPS测得在Ef以下6．2，9．2，11．1，12．4和14．9eV处有五个峰，与N2O气侧的UPS谱比较，认定它们是N2O，NO共存的结果，表明NO在CS／Ru表面上分解后可形成N2O分子的吸附。