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采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜,测试其场发射特性,并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较,得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低,为1~1.2 V/μm。对碳纳米管薄膜进行老炼处理,最大场发射电流由12.3 μA提高到34 μA。 相似文献
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无氧铜基金刚石薄膜场致发射特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用微波等离子体方法在铜片上沉积了多晶金刚石薄膜,用该薄膜制成的场致发射体的开启电压较低,发射电流密度较高。利用自制的场致发射阵列阴极高真空测试台测试了1-100mA/cm^2的发射电流密度特性,对应的电场强度为2.0-3.5MV/m。从拟合F-N公式得到的功函数φ≈0.025eV,所发射电子轰击荧光屏后能产生明亮的光斑。 相似文献
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采用广泛使用的粒子模拟程序MAGIC模拟了以金刚石薄膜作为发射体的真空微电子三极管和四极管的特性,得出了电子运动的轨迹图,从中可以看出上栅极对电子的会聚作用。研究了发射特性与栅极电压、发射体表面积大小等参量的关系,还讨论了电子在阳极、栅极间的分配情况。 相似文献
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该文探讨了CVD金刚石材料在宽带毫米波螺旋线行波管中的应用,研究了两类非杆状新型CVD金刚石夹持的螺旋线高频结构,利用MAFIA分析了它们的色散特性、耦合阻抗和衰减常数,与传统的矩形BeO夹持杆和矩形CVD夹持杆高频结构进行了对比,最后将这两类新型高频结构替代国内某毫米波行波管(26-40GHz)中的矩形BeO夹持杆螺旋线高频结构,利用宽带大功率行波管CAD集成环境中的注波互作用模块分析了其大信号工作特性。结果表明,分立CVD金刚石夹持高频系统兼顾了超宽带和大功率,同时由于金刚石直接和螺旋线及金属翼片大面积接触,该结构还具有极好的散热能力,是一种有重要应用前景的高频结构。 相似文献
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利用商用有限元软件ANSYS建立了带接触层的分段温差电单偶模型,不仅能考虑接触电阻,还能考虑接触热阻。该模型由n-Bi2Te3/n-PbTe,p-BiSbTe/p-Zn4Sb3组成。在电偶臂总长l=5mm时,优化温差电元件得到最大热电转换效率,并分析接触电阻和接触热阻对热电转换效率的影响,以及电臂的分界面温度。结果表明,在热端温度673K,冷端温度分别为298、323、353K时,最大转换效率为11.64%,10.70%,9.50%。当接触层厚0.1mm,接触电阻率为5×10-5Ω·m(即每电臂接触电阻为150μΩ·cm2),接触热导率为kc=6W/mK时,最大转换效率降到10.15%,9.33%,8.31%。分界面温度在材料Z-T曲线交点温度附近,大约为3%~-1%范围内。 相似文献
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使用APDL语言,在ANSYS开发环境中对热电模块平板式散热片进行结构优化设计。优化结果袁明:散热片底部平均温度随流道宽度增加而增加,随翅片厚度增加先降低后增加,但此结果不具有通用性。 相似文献
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讨论了薄膜与阳极间隔以及有效发射面积对碳纳米管薄膜场发射性能的影响。以磁控溅射Al和Ni在Si片上做为缓冲层和催化剂,以乙炔为C源气体,利用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。扫描电镜观测结果表明,碳纳米管的直径为50~80nm。采用二极管结构,测试了样品的场发射性能,结果表明碳纳米管薄膜具有优异的场发射特性,薄膜与阳极距离为400μm时开启场为0.85V/μm、阈值场为1.22V/μm。F-N理论计算结果表明,碳纳米管薄膜的有效发射面积几乎不随场发射所加电压的变化而改变;有效发射面积随着薄膜与阳极距离的增加而增大。 相似文献