基于遗传算法求解两曲线间最短距离

针对传统算法求解平面两条曲线间最短距离较为困难的问题,提出一种基于遗传算法的求解方法.该方法通过交替求解一条曲线上样本点到另一条曲线上样本点之间最短距离的方式对问题的可行域进行优化搜索.并对传统遗传算法做了两方面的改进,一是根据曲线自身特征分区间选取初始种群,使其能够合理地分布在寻优空间;二是对交叉结果进行跟踪,确保交叉成功后的个体优于父代个体.最终实例验证结果表明,该算法能较好地收敛到此类问题的全局最优解.     

智能站设计在变电二次继电保护中的应用研究

本文简单介绍了智能站设计要点,针对变电二次继电保护中存在的问题展开了深入的研究分析,结合本次研究,发表了一些自己的建议看法,希望可以对智能站设计在变电二次继电保护中的应用起到一定的参考和帮助。     

基于聚类分析与几何的目标特征敏感性评估算法

为克服在较少先验知识的情况下,人为选择目标特征进行分类识别的盲目性,提出一种基于聚类分析与几何学的目标特征评估方法.该方法在类内类间距离的基础上引入几何学中有关圆的知识,定义了样本在特征空间中分布的＂紧密度＂、＂分离度＂函数和＂松紧度＂权重,以考察目标特征对目标样本之间的分类敏感性,并根据评估结果选取适当特征构成一个新的联合特征,以提高对目标的分类识别效率.最后通过仿真验证了该方法的有效性.     

塑性应变准则在油井出砂预测中的应用

用塑性应变准则建立了油井出砂预测的有限元力学模型，岩石的屈服应力准则用Drucker-Prager准则。在某油画地层参数下，用该模型得到了不同井筒压差所对应井壁附近的塑性应力、应变变化结果，用这些结果可预测油井出砂情况。根据临界塑性应变，确定了井壁不出砂的临界生产压差，为油井正常生产提供了理论数据。     

射孔套管应力集中系数有限元分析

建立了射孔套管的有限元力学模型，对不同孔径、孔密及相位角的射孔套管在外挤压力作用下的孔眼应力集中系数进行了有限元分析。旨在讨论非线性材料弹塑性范围内多孔情况下，对孔眼的应力集中系数及对管体抗挤强度的影响，为射孔套管应力集中及强度影响提供了详尽的数据，并给出了优化射孔方案。     

溶胶凝胶法制备纳米TiO2薄膜及其性能的研究

目的 制备纳米TiO2薄膜并研究涂膜层数与催化性能的关系.方法 采用溶胶凝胶法并利用提拉技术制备纳米TiO2薄膜.应用朗伯-比尔定律分析其光催化活性,利用金相显微镜观察单层和多层薄膜的表面形貌,用红外光谱和XRD分析所制备薄膜材料的结构,利用甲基橙溶液研究该薄膜的光催化性能.结果 溶胶凝胶法在500℃的热处理温度制备了结晶良好的锐钛矿相结构的纳米TiO2薄膜材料,晶粒尺寸为40～80 nm;控制提拉速度和加入乙酰丙酮,能使薄膜的缺陷减少;涂膜层数为5层时光催化性能比1层到4层时好,这是由于5层时薄膜表面更均匀、更致密,但是层数增加也使薄膜的内应力增加,致使表面产生裂纹.结论 涂膜层数增加均使TiO2光催化性能得到提高,镀膜层数较少时,膜层较好,5层镀膜时膜层产生了裂纹.     

控制网络系统组态软件中网络管理实现研究

在设计Lonworks控制网络专用组态软件的过程中,如何实现网络管理是比较重要的一个环节。本文提出了该组态软件的体系结构,探讨了LonWorks控制网络专用组态软件网络管理部分设计的有关问题。     

一种电源用HDI板制作方法

<正>1电源用HDI（高密度互连）板的产品特点及控制难点随着电源产品朝着大功率、小型化、智能化方向的发展,要求电源PCB的尺寸越来越小,密集度越来越高,于是电源PCB逐渐变成HDI设计。但电源有大电流要求,而HDI板的线路厚度又要求较厚,完成铜厚均在80μm以上,因此这种HDI板成为一种特殊产品,在PCB加工方面有较多制作难点和注意事项需要我们去关注和解决。分析电源HDI板的产品特点,从电镀、压合、阻焊等工序进行加工控制。     

生物滞留设施运行常见问题及调控措施研究进展

生物滞留设施在调节径流、净化水质、防止氮、磷污染等方面起着至关重要的作用。然而,在实际运行过程中,还存在基质堵塞、污染物累积、过滤层冲刷侵蚀、植物死亡等问题,影响设施的有效运行与景观生态效益。针对以上问题,从源头减量、工艺设计、运行维护3个方面对国内外海绵城市生物滞留设施的调控措施进行系统归纳和总结,并在此基础上提出了污染物源头减排、使用新型融雪剂、添加预处理设施、改善运行方式、改良填料组合与填充方式、优选植物种类、更换受损覆盖层与建立动态监测体系的一系列措施,充分发挥生物滞留设施在调节径流、净化水质与改善水环境方面的综合功能,有助于海绵城市生物滞留设施的长期高效运行。     

高质量6英寸4H-SiC同质外延层快速生长

采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸= 2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H2比(所用气源摩尔比)与生长速率的相互关系,使4H-SiC同质外延层生长速率达到101 μm/h.同时,系统研究了 C/Si比对4H-SiC同质外延层生长速率、表面缺陷密度和基面位错密度的影响.采用光学...