新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

银行代理财政统发工资系统的分析与设计

财政统发工资系统是银行根据财政部门传送的代发工资信息，实现工资的实时代发。该系统基于UNIX操作系统，使用C语言和Oracle数据库进行开发。     

RSView32软件平台的应用及扩展

概述了RSView32工控软件的特点和使用方法 ,并通过贵溪冶炼厂的一个液位自动控制系统的人机界面设计说明了如何在控制系统中使用RSView32软件。文章特别介绍了如何用VBA程序设计来扩展其功能     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

MoSi2发热体在熔铝炉中的运用

以电阻熔铝炉技术改造实践为例，介绍一种高效、节能、不渗铁的新型熔铝炉——二硅化钼熔铝炉的设计。     

住宅产品与住宅设计相链接“二次技术开发”是关键

各位领导、各位专家、各位代表：上午好!首先，我代表中国房地产及住宅研究会住宅设施委员会，衷心感谢大家参加委员会一年一度的年会。刚刚周部长对委员会的工作做了重要指示，刘秀晨同志也发表了精彩的讲话，充分肯定了委员会的工作，指出了方向，提出了希望，我们深受鼓舞。刘秀晨同志给我们委员会做出了重要贡献，他从国务院参事和全国政协委员的角度提出了“推广绿色厨卫，     

薄板坯连铸连轧流程Ti微合金化高强钢开发与应用

在薄板坯连铸连轧流程上，经过对Ti微合金化技术研究，有效解决了Ti微合金化强度性能波动大的问题，开发出屈服强度450～700MPa高强钢。对试制钢组织性能和工业应用分析研究，表明该产品通板性能良好，通板强度差30MPa左右；成形性能良好，d=0时冷弯测试全部合格；同时还具有良好焊接性能，焊接后，强度波动较小，均在母材部位断开；试制钢显微组织为珠光体和铁素体，晶粒均匀细小，平均尺寸为4～8／μm；实物质量满足集装箱和汽车制造行业要求，具有广阔市场前景。     

合理开发利用钨矿资源 促进钨矿业可持续发展

简述了我国钨矿业概况、现有采选技术水平及钨矿加工利用率 ;从资源配置出发 ,阐述了钨矿业发展存在的几个主要问题 ,并且针对性地提出了可持续发展的几点建议。     

憎水性栀子蓝色素制备的研究

以浓盐酸为催化剂,采用乙酸酐酯化处理水溶性栀子蓝色素,制备了憎水性栀子蓝色素.探讨了栀子蓝色素与乙酸酐料液比、反应时间和反应温度等因素对憎水性栀子蓝色素色价的影响.结果表明:采用料液比1:20,在常温下反应4 h,为制备憎水性栀子蓝色素的最优条件.同时,通过红外光谱、可见吸收光谱及溶解性对栀子蓝色素的酯化改性进行了初步的探讨.