在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究

有关GaN和富Ga的InGaN薄膜中的位错和极性已有TEM研究，而InN和富In的InGaN薄膜却少见报道。研究InN薄膜中的缺陷和极性对生长高质量的InN薄膜很有意义。本文用TEM研究在c面蓝宝石上分子束外延生长的InN（760nm）／GaN（245nm）／AlN（14nm）薄膜中的穿透位错和极性。     

β-Ni(OH)2和NiO单晶纳米结构的水热合成与TEM表征

用水热法合成了β-Ni(OH)2单晶纳米薄片,并用透射电子显微镜观察其显微结构.发现这些纳米薄片呈六边形,横向尺寸45 nm～140 nm,厚度20 nm～50 nm.六边形纳米片的上下表面是(001),六个侧面可确定为(100),((1)10)或(0(1)0),紧邻侧面夹角120°.六角结构的β-Ni(OH)2呈六边形时系统能量最低.β-Ni(OH)2纳米薄片经500 ℃热分解即转化为NiO单晶纳米卷、纳米槽和纳米片.NiO纳米结构的外缘尺寸为25 nm～120 nm,纳米卷内空尺寸10 nm～24 nm,纳米槽凹坑尺寸10 nm～20 nm.β-Ni(OH)2纳米薄片中可能存在缺陷、微孔或结晶较差的区域,这些区域的热分解速率快,有利于形成NiO纳米卷.     

钙钛矿外延薄膜中一种新型分裂失配位错的HRTEM研究

在钙钛矿型氧化物外延薄膜中 ,人们已观察到柏格斯矢量b =[10 0 ]的刃型失配位错 ,伴随 (0 0 1)层错b =(1 2 )〈10 1〉的不全失配位错。最近 ,我们用TEM研究了生长在 (0 0 1)LaAlO3 上Ba0 3 Sr0 7TiO3(BSTO)外延薄膜中的缺陷结构。在薄膜的近界面层观察到了高密度的穿透位错 ,其中大部分穿透位错是与 (1 2 )〈10 1〉层错相伴的不全位错[1,2 ] 。本文介绍在该薄膜中观察到的一种新型的分裂失配位错 ,如图 1所示。靠近BSTO LaAlO3 界面有四个被标为 1 4的不全位错和一被标为 5的螺位错。不全位错 2和 3间夹层错的位移矢量是 (1 2 )…     

AlSb／GaAs异质外延薄膜应变的HRTEM几何相位分析

用几何相位分析（geometric phasean alysis,GPA）方法研究了AlSb／GaAs畀质外延薄膜的应变。此方法基于高分辨像的傅里叶变换。通过选择傅里叶变换点分辨率以内的某个强衍射,做反傅里叶变换得到晶格条纹的相对的相位分布,进一步得到应变分布。Bragg滤波条纹像确认了60°和90°失配位错的存在。分析讨论了位错核心区域应变分布差异的可能机制。     

无压烧结制备0.88PMN-0.12PT高度透明铁电陶瓷的显微结构研究

用传统的无压烧结工艺制备出稀土元素La掺杂的高度透明纯钙钛矿相0.88Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.12Pb Ti O3(简称0.88PMN-0.12PT)铁电陶瓷。当陶瓷样品厚度为0.8 mm时,在1550 nm处透光率达67%,接近其理论极限。电滞回线测量结果表明该组分透明陶瓷为典型的弛豫铁电体。显微结构观察结果表明陶瓷非常致密,晶粒排列规则,晶界结合强度高,多呈穿晶断裂,晶界干净,且厚度2 nm。     

溶胶—凝胶方法制备KTa0.65Nb0.35O3薄膜的凝胶化和热处理研究

本文较系统地研究了溶胶－凝胶方法制备ＫＴａ０．６５Ｎｂ０．３５Ｏ３薄膜的凝胶化行为和热处理。用自制的金属醇盐ＫＯＣ２Ｈ５、Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５和Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５为原料，无水乙醇作溶剂，配制均匀的溶液。实验结果表明，溶液浓度、介质或催化剂的使用、匀胶时的环境温度和湿度及单层膜厚等因素凝胶薄膜的形成有较大影响。条件适宜时可得到与衬底附着紧固的均匀透明的凝胶薄膜。随着热处理温度升高，薄膜首先从非晶态     

Sol－gel生长KTa_（1－x）Nb_xO_3电光薄膜的成分和结构

采用ＸＰＳ方法研究了ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的ＫＴＮ（ｘ＝０．３５）薄膜的成分和结构．结果表明，除了表面被碳污染外，薄膜中无残余的碳和其他杂质．其成分与原料的化学计量比相近，且沿深度均匀分布．各元素的化学状态证实薄膜系钙钛矿型ＫＴＮ结构．Ａｒ＋溅射后的ＸＰＳ谱反映Ｋ严重偏低，Ｔａ和Ｎｂ的化学状态改变，是Ａｒ＋轰击引起Ｋ择优溅射及化合物分解所致．     

A位掺杂Bi4Ti3O12陶瓷的铁电性能研究

用传统固相烧结工艺,制备了纯相的Bi4Ti3O12 (BTO)陶瓷,A位掺杂的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT),Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电陶瓷.X射线衍射结果表明,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构,La、Nd掺杂未改变BTO的晶体结构.铁电测试结果表明,BTO、BLT和BNdT陶瓷的剩余极化2Pr值分别为12.4、23.8和39.4μC/cm2.A位掺杂后,BLT、BNdT的2Pr值比未掺杂的BTO分别提高了1.92和3.18倍.漏电流测试表明,BLT、BNdT陶瓷的漏电流密度比BTO明显降低.A位掺杂显著提高了BTO陶瓷的铁电性能.     

Sol—gel生长KTa1—xNbxO3电光薄膜的成分和结构

采用ＸＰＳ方法研究了ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的ＫＴＮ（ｘ＝０．３５）薄膜的成分和结构，结果表明，除了表面被碳污染外，薄膜中无残余的碳和其他杂质，其成分与原料的化学计量比相近，且沿深度均匀分布，各元素的化学状态证实薄膜系钙钛矿型ＫＴＮ结构。     

溶胶—凝胶沉积PbTiO3薄膜成分和结构的XPS分析

对通过Ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的ＰｂＴｉＯ３薄膜在Ａｒ＾＋溅射前后作了ＸＰＳ全扫描和窄扫描测量，结果表明，除了薄膜原始表面有化学吸附氧和污染碳外，薄膜中没有残余的单质碳或其他杂质元素存在，薄膜的元素组成与化学计量比一致，薄膜表面无富集Ｐｂ。各元素的化学状态证实薄膜系ＰｂＴｉＯ３钙钛矿型结构，Ａｒ＾＋溅射引起Ｐｂ择优溅射和化合物分解，以致Ａｒ＾＋溅射后薄膜表面元素组成与化学状态严重偏离薄膜体内层的真实