单一有机材料PAN的电双稳特性及其应用

发现单一有机材料１－（２呢啶偶氮）－２－萘酚（ＰＡＮ）在室温下即具有电双真空中的薄膜,两边在数伏电压的作用下,即可从高阻态变为代阻态,且跃迁时间小于１０ｎｓ。由此可用为功能材料用于非易失性存贮器和过电压保护器等。     

K（TCNQ）薄膜的制备及其电双稳特性

在真空环境下,首次利用固态化学置换反应制备了K（TCNQ）薄膜,其分子结构与已报道过的K（TCNQ）单晶、多晶相同。但不同的是,在300K以上,K（TCNQ）薄膜具有可逆的双稳特性。因此预计在光电开关和电双稳存储器方面具有广泛的应用前景。     

数字式音像记录用光致变色膜的静态和动态性质

一种新的光致变色络合物M1－β（TCNQ），可作为可擦式光盘的良好存贮媒质。本文对这种薄膜进行了静态和动态测试，并对不同金属比的材料作了比较。已得到的结果为：信噪比约50dB，写入度30dB，擦除度28dB，反复擦除次数＞10。因此近期可望在数字式音像记录方面成为一种实用化材料。     

Ag-TCNQ分形生长现象研究

利用溶液化学反应法，在Ag-TCNQ过饱和度较大的条件下，发现了Ag-TCNQ的分形生长现象。研究表明，Ag膜厚度和与溶液反应的时间对样品的形貌有影响。Ag膜薄生成的样品稀疏，分形维数小；反之样品致密，分形维数大。反应完全时样品最致密，分形维数最大。SEM研究表明，这些分形生长主要是堆垛分形，分支堆积有序，表现出材料良好的自组织性。     

反向流动注射差示光度法同时测定扑热息痛和扑尔敏

反向流动注射差示光度法同时测定扑热息痛和扑尔敏陈剑宏，徐华华，张将，朱敏（复旦大学化学系上海２００４３３）１前言扑热息痛和扑尔敏是治疗感冒。退烧类药物中的常见成分。中国药典（９０版）推荐用光度法在氢氧化钠介质中测定扑热息痛而在盐酸介质中测定扑尔敏［１...     

Ag(TCNQ)纳米晶须的生长机理

本文采用真空饱和蒸汽反应法在相对较低的温度下制备了一系列一维纳米结构的金属有机配合物Ag(TCNQ).用多晶XRD谱表征了样品的成份和晶体结构,通过SEM观察到了不同生长阶段的形貌.纳米晶须的生长分别经历了溶解、结晶和单向生长三个阶段.在此基础上,利用VLS模型初步解释了其生长机理.     

Ag(TCNQ)纳米线的制备和电学特性研究

提出了一种新的制备有机金属配合物纳米线的方法,即饱和蒸气反应法,并解释了它的生长机理。用这种方法制备的Ag(TCNQ)[TCNQ,tetracyanoquinodimethane]纳米线(棒)基本垂直于基板。截面近似呈方形,边长<100nm,长度(高度)可控,生长温度低(≤120℃),因而在实际应用过程中容易与其它工艺兼容。在STM针尖和导电AFM针尖电场作用下这种纳米线(棒)具有电双稳特性,预期在纳米电子学方面有广泛的应用前景。     

膜萃取分离流动注射紫外分光光度法测定水样中的五氯苯酚

膜萃取分离流动注射紫外分光光度法测定水样中的五氯苯酚徐华华，陈剑宏，蒋理（复旦大学化学系，上海２００４３３）五氯苯酚（ＰＣＰ）在工业上用作防腐剂，农业上可作除草剂，亦用于杀灭钉螺。然而五氯苯酚对人体有一定的毒害作用，它在环境中的残留分布一直为人们所关...     

K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性

在真空环境下,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同.但不同的是,在300K以上,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性.因此预计在光电开关和电双稳存储器方面具有广泛的应用前景.     

Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究

采用气-液-固反应方法在硅片上制备了取向金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线.样品的XRD特征峰与Ag(TCNQ)相对应;SEM形貌显示纳米线几乎垂直基片生长,直径在50～300nm,长度在2～50μm.初步对其场发射性能进行了研究,所得Ag(TCNQ)纳米线的最低场发射开启电压约为1.5Vμm-1,最大发射电流密度约为0.03mAcm-2,此时对应的电场约为2.5Vpm-1.由测量所得I-Ⅴ曲线得到的FoWler-Nordheim(F-N)曲线近似为一条直线,说明样品具有场发射性能.重复实验表明,Ag(TCNQ)纳米线的场发射具有一定的稳定性.结合纳米线制备工艺,初步分析了场发射性能的影响因素.