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用分子束外延法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的四元合金Zn(1-x)MgxSySe(1-y)薄膜.在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、X射线衍射和喇曼散射研究后,提出了一种确定四元合金Zn(1-x)MgxSySe(1-y)组分的方法,即:利用ZnSySe(1-y)和化学配比的MgSe作为标准样品,通过X射线衍射和喇曼散射测得标准样品ZnSySe(1-y)中的S组分,再根据ZnSySe(1-y)和MgSe的俄歇谱图,对各元素的相对灵敏度因子进行修正,然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Zn( 相似文献
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利用飞秒激光的抽运探测技术,研究了单脉冲飞秒激光作用下GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程,测量了相变薄膜的时间分辨光学显微图。所研究的系统为多层薄膜结构100 nm ZnS-SiO2/ 35 nm GeSb2Te4 /120 nm ZnS-SiO2/0.6 mm ,飞秒激光的脉冲宽度为108 fs,波长为800 nm。实验发现相变薄膜从晶态至非晶态的相转变过程可以在 2.6 ns内完成。讨论了相变薄膜的厚度对系统的热传递、快速凝固过程的影响,分析了相关热过程和热效应,解释了抽运探测实验数据,并探讨了单脉冲飞秒激光诱导相变薄膜非晶化的机制。 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜(0≤x≤1),用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构,发现对x较小的样品,合金层为单一的(100)面闪锌矿结构,(111)面的含量可以忽略.对x≈0.5的样品,合金层中(100)和(111)面的闪锌矿结构共存,两种结构呈现不同的组分,且(111)结构的x值总是小于(100)结构.对x=1的样品,外延层呈现单一的(100)氯化钠结构.对不同结构和含量所作的定量分析表明,(111)面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从(100)面闪锌矿结构向(100)面氯化钠结构转变的中间相. 相似文献
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油田大数据应用场景在设计、研究与建设过程中会涉及多学科、多专业相互关联、互有交叉、技术密集的全量数据内容,目前多源数据对象独立建设,各专业采集数据结构类型不统一,数据采集设计并不适合面向业务应用,存在整合应用难、数据综合提取难、专业间数据融合难等问题。为了将多源异构、不同时空尺度的数据处理、融合为油田大数据应用场景需要的全量数据集合,开展油田数据多源性分析,按照横向分专业,纵向以井为核心进行数据集成技术研究,并筛选、确定五个油田业务融合点,从不同尺度开展勘探开发数据的处理和关联融合的方法研究,建立一套油田数据融合方法及融合基础模型。应用结果表明,该融合方法能够有效集成、处理、融合油田多源异构数据为大数据应用场景需要的数据集。实现油田大数据应用场景中准确的全量数据支持,提高提高大数据预测结果的准确性。 相似文献
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相渗曲线是油气田开发研究中的一项重要基础资料。采用常规室内实验法获得相渗曲线费用昂贵且耗时,测试样品少,难以代表整个油藏的特征;经验公式法估算获得的结果精度低且误差大。为了实时、准确获得水驱储层相渗曲线,采用机器学习算法进行仿真预测。通过测井参数敏感性分析,融合相渗曲线数据,构建水驱储层相渗曲线仿真样本集。在此基础上,优选机器学习算法进行地质因素约束优化以及曲线端点约束优化,实现相渗曲线智能可视化生成。研究结果表明:该方法能实现每口井每个层段的相渗曲线预测,预测精度大于90%,能准确反映油藏渗流特征和储层渗透率变化规律,具有较高的实际应用价值和良好的推广应用前景。 相似文献
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用分子束外延方法在GaAS(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/Znse(x=0.16,x=0.14)超晶格结构.用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究.当超晶格的总厚度大于其临界厚度时,超晶格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数.此时,在(100)平面内,ZnSe阱层受到张应变,而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变,从而,导致其喇曼光谱中,ZnSe阱和Zn1-xMnxSe垒的LO声子峰分别向低频方向和高频方向移动.当超晶格总厚度小于其临界厚度时,超晶格不再弛豫而是保持过渡层Znse的晶格常数,此时,ZnSe阶层不再受到应变,而Zn1-xMn 相似文献
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100lm/W照明用LED大功率芯片的产业化研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350mA下发光效率达104 lm/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4%和2.8%,并成功解决了产业化的关键技术。 相似文献
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本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Zn0.77Cd0.23Se/ZnSe和ZnSe/ZnS0.12Se0.88的光致发光谱.分析了影响激子线型展宽的主要因素.定量表征了4.4K下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献.理论分析表明,在低温(4.4K)下,合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用.对比结果显示,Zn0.77Cd0.23Se/ZnSe超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ZnSe/ZnS0.12Se0.88超晶格 相似文献