非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响

采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非品硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的P层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微品硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填允因子由60%提高剑63%.     

过渡区p层在高速沉积非晶硅薄膜电池中的应用

研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。通过调整p层的沉积参数,获得不同p层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/cm,并获得了从微晶相向非晶相转变的过渡区p层。实验发现,电池的开路电压Voc随p层SiH4浓度的增加先增加后降低,当p层处在过渡区时达到最大;p层处在过渡区时电池的短路电流Isc和填充因子FF都得到了不同程度的提高。在p/i界面引入buffer层后,能进一步显著提高电池的FF和Voc。在过渡区p层作为电池窗口层,没有背反射电极,本征层沉积速率为1.5nm/s情况下获得效率达8.65%(Voc=0.89V,Jsc=12.90mA/cm2,FF=0.753)的高速非晶硅薄膜电池。比较了过渡区P层与P-a-SiC:H分别作为电池窗口层对于电池性能特别是FF的影响,由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。     

基于分类优化的物联网节点负载均衡策略

采用动态多因素组合及KNN分类方法对各节点终端进行了有计划的深入分析,按照各特征节点相似性进行分类,然后根据其分类策略对各节点使用情况进行有机排序,并优先考虑使用效率较高和容易闲置的设备节点,从而实现网络负载均衡。实验结果表明,本文构造的分类器加速比、扩展率及数据伸缩率都有很大的提升。     

光伏电池模型的参数灵敏度分析和参数提取方法

针对光伏电池的短路和开路情况进行参数灵敏度分析,以确定光伏电池基本参数对光伏电池电气特性的影响.通过分析特定参数在局部点的参数梯度,借助符号运算软件MAPLE定量分析光照强度、温度以及模型中各个参数对光伏组件电气特性的影响.实现了对5种不同种类、不同品牌的单晶硅、多晶硅、铜铟镓硒(CIGS)光伏组件直流模型的参数提取工作,提取了对电气特性影响最大的5个参数.利用所提取的参数对光伏组件建模,实验结果验证了该模型具有较高的精确度.     

掺杂室沉积本征微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用

在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF—PECVD）技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜．对薄膜电学特性和结构特性的测试结果分析表明：随硅烷浓度的增加,材料的光敏性先略微降低后提高,而晶化率的变化趋势与之相反;X射线衍射（xRD）测试表明材料具有（220）择优晶向．在P腔室中用VHF—PECVD方法制备单结微晶硅太阳能电池的i层和p层,其光电转换效率为4．7％,非晶硅／微晶硅叠层电池（底电池的p层和i层在P室沉积）的效率达8．5％．     

《固定义齿工艺学》实验课用硅橡胶印模模具的设计与制作

目的:固定义齿工艺学实验课需要每名学生至少拥有一副具有统一标准的石膏模型,石膏模型上要包含制作不同种类固定修复体所需要的预备后的基牙.目前市场上面没有能够满足口腔医学技术学生在《固定义齿工艺学》实验课所需的硅橡胶印模模具.本实验从此方面入手,进行硅橡胶印模模具设计与制作的研究,让学生在实验教学中有标准统一的、制作固定修...     

薄膜太阳能电池用透明导电薄膜技术现状及发展趋势

一、光伏市场高速增长 随着人类社会的飞速发展,人类对能源的需求日益增长,如图1所示,我国能源需求超速增长,预计2015年的需求会占世界的21％,这给我国带来了巨大的政治、经济和环境压力。图2给出了中国、欧洲和日本能源结构的分布,可以看到,我国能源结构以煤炭火电为主,结构不稳固,且非化石能源中水电占比过大,但水电潜力有限。要达到能源需求目标,必须发展其他替代能源,长期看,太阳能发电是优选。     

Si基薄膜叠层太阳电池中顶底电池电流匹配的实现

以中间层对非晶硅/微晶硅(a-Si/μc-Si)叠层太阳电池电学特性的影响为研究对象,运用太阳能电池模拟软件,计算了中间层折射率和厚度的变化对顶/底电池电流的影响.针对当前Si基薄膜叠层太阳电池中存在的顶、底电池电流不匹配的问题,提供了解决方案.结果表明,应选用折射率小于3.1的材料作中间层;顶、底电池电流完全匹配的中...     

掺杂室沉积本征微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用

在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜.对薄膜电学特性和结构特性的测试结果分析表明:随硅烷浓度的增加,材料的光敏性先略微降低后提高,而晶化率的变化趋势与之相反;X射线衍射(XRD)测试表明材料具有(220)择优晶向.在P腔室中用VHF-PECVD方法制备单结微晶硅太阳能电池的i层和p层,其光电转换效率为4.7%,非晶硅/微晶硅叠层电池(底电池的p层和i层在P室沉积)的效率达8.5%.     

高速沉积μc-Si:H薄膜生长机制及其微结构的研究

采用高压高功率的超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,在腐蚀后的7059玻璃、低晶化和高晶化的微晶硅(μc-Si:H)p型材料3种衬底上,通过改变沉积时间的方法,高速(沉积速率约为1 nm/s)沉积了不同厚度的μc-Si:H薄膜材料.测试其表面形貌及晶化率,比较了不同衬底上高速生长的μc-Si:H薄膜生长机制及微结构的差异,最后得到适于高速沉积pin μc-Si:H太阳电池的μc-Si:H p型材料应具备的条件.