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采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑,p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性.首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应,在290 K和255 K条件下,外磁场变化5398A/m时,磁电阻的最大灵敏度分别达到85Ω/79.6 A·m-1和246Ω/79.6A·m-1;在一个多层p-n结构上,磁电阻的变化率△R/R0达到517%. 相似文献
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The current-induced resistive switching behavior in the micron-scale pillars of low-doped La0.9Sr0.1MnO3 thin films using laser molecular-beam epitaxy was reported. It was demonstrated that the current-voltage curves at 120 K showed hysteresis with several threshold currents corresponding to the switching in resistance to metastable low resistance states, and finally, four closed loops were formed. A mode was proposed, which was based on the low-temperature canted antiferromagnetism ordering for a lightly doped insulating regime. 相似文献
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利用激光分子束外延方法在(001)SrTiO3衬底上制备庞磁电阻La0.8Sr0.2MnO3薄膜.发现高密度、尺度均匀的纳米聚集物弥散地分布在La0.8Sr0.2MnO3薄膜中.Z衬度像、EDS及电子衍射综合分析表明,这些纳米聚集物的内部成分出现起伏,主要特征是富Mn贫La,Mn/La的比值在其核心处达到极大值,形成立方结构的第二相MnO.LSMO薄膜由两种正交结构的取向畴组成.MnO与畴1的取向关系为[101]LSMO,1//[100]MnO和(010)LSMO,1//(010)MnO;与畴2的关系为[101]LSMO,2//[100]MnO和(010)LSMO,2//(001)MnO.在LSMO/STO外延体系中,还观察到大量的失配位错.失配位错的类型分为刃型失配位错,位错线沿<100>方向;螺型失配位错,位错线沿<110>方向.刃型位错是基中原有位错在薄膜生长过程中沿生长表面的扩展造成的;螺型失配位错的形成与降温过程中LSMO正交结构的取向畴的形成有关. 相似文献
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对于采用电激励方式的TEACO_2激光器来说,一般总希望其放电电流脉冲的前沿陡而放电快,这是和放电回路的电感量直接相关的。我们研制了一种用于TEACO_2激光器的低电感重复频率马科斯高压发生器,根据测试结果,其电感量、损耗因数、重复频率、寿命和比容都很理想。 电容器是马科斯高压发生器的核心,对于性能优良的马科斯高压发生器,应采用低电感重复频率高压电容器。电容器的电感主要是由电容器的结构和引线产生的;电容器能否在重复频率条件下持续工作,与电容器的能量损耗有直接关系,而电容器的 相似文献
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我们用全外反向掠入射衍射,研究了BaTiO3/SrTiO3(BTO/STO)超晶格(SLs)的界面应变和应变驰豫行为。在总厚度超过临界厚度的情况下,应变驰豫机制依赖于SLs中的单层厚度。当其小于临界厚度时,SLs整体驰豫;大于临界厚度时,SLs在其两组元界面上分层驰豫。但SLs总水平应变量均随着单层厚度的减小而增大。最小能量原理计算已支持上述结果。 相似文献