RF-500型CVD镀膜机计算机控制系统

针对RF-500型CVD镀膜机传统的电气控制缺点,开发了基于PC-PLC的RF-500型CVD镀膜机计算机控制系统.介绍了RF-500型CVD镀膜机的结构以及工作原理;并对该控制系统的硬件结构和软件功能进行了描述.对该控制系统的控制效果进行了大量的实验研究,研究结果表明:基片温度控制精度达到±1℃、工作(反应)气体的流量控制精度达到10mL、可以进行精确的开关量控制.     

PECVD镀膜机等离子体静电探针诊断

开发了一个朗缪尔探针等离子体诊断系统,对PECVD真空镀膜机进行了等离子体参数诊断.该镀膜机内的等离子体是电容偶合激发方式的氩等离子体,激发源为射频电源(13.56MHz).在射频功率为40W到140W的范围内,使用该朗缪尔探针对镀膜机中氩等离子体的参数(等离子体密度和电子温度)进行了诊断分析.结果表明:电子温度在2.7eV和6.4eV之间,并且随着射频功率的增加而降低.而等离子体的密度在0.85×1015m-3到8×1016m-3的范围随着射频电源的增加而增加.     

磁控溅射沉积氧化铝薄膜的迟滞效应

利用光发射谱(OES)技术,对反应磁控溅射过程的氧化铝薄膜的迟滞效应进行了研究.对等离子体中的铝(396 nm)谱线和氧化铝(484 nm)谱线随氧气流量的变化进行了实时测量,获得了其迟滞曲线.在迟滞曲线的不同位置分别进行了氧化铝薄膜的沉积试验.采用X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)和紫外可见吸收光谱仪(UV-VIS)对薄膜的晶体结构、成分和透光性进行了分析.结果表明:由于磁控靶表面的氧化铝沉积影响了铝靶材的溅射,导致Al(396 nm)谱线的强度对氧化铝薄膜的晶体结构、原子比以及样品的透光性有明显的影响.同时,由迟滞曲线可知在氧气流量为1.5～2.0 mL/min的过渡区内存在着一个最优沉积带.在这个沉积带获得的样品,其成分具有最佳的化学原子量配比,为0.689.这说明沉积出了高质量的氧化铝薄膜.     

化学气相沉积镀膜机控制研究

以RF-500型镀膜机为例介绍了化学气相沉积（CVD）镀膜机的结构以及工作原理;为克服RF-500型CVD镀膜机传统的电气控制缺点,开发了一套基于工业控制计算机的控制系统。描述了该镀膜机控制系统的硬件结构和软件功能。对基片温度、气体流量及开关量的控制效果进行了大量的实验研究。结果表明：基片温度控制精度达到±1℃、工作（反应）气体的流量控制精度达到10mL/min,可以进行精确的开关量控制。应用表明：该控制系统可以实时监控RF-500型CVD镀膜机的运行。