多端口网络噪声系数测试方法

将多端口网络某端口噪声系数的定义推广到非等噪声输入情形,并提出了两种多端口网络噪声系数测试方法。第一种方法方便快捷,只需测量任意一个端口的噪声系数即可得到多端口网络噪声系数。第二种方法不包含系统误差,但测试工作量及计算量较大。分别给出了两种测试方法的测量实例,并对两者的结果进行了比较,两者结果在误差范围内完全一致。第二种方法关于输入噪声功率的计算结果表明,第一种方法的系统误差可以忽略。该测试方法不仅适用于等增益网络,也适用于非等增益网络,文中给出了非等增益网络的测量实例。该测试方法可广泛应用于相控阵雷达所用T/R组件等多端口网络噪声系数的测试。     

四川盆地川西坳陷新场气田上三叠统须家河组五段烃源岩评价

上三叠统须家河组五段是四川盆地川西坳陷新场气田陆相天然气勘探的重点层系之一,但对须五段烃源岩品质的研究程度较低且认识存在分歧。对新场须五段泥岩发育特征和有机地球化学特征研究表明,新场须五段泥岩平均厚度为285.3m,各亚段均表现出北薄南厚的特征。须五段泥岩样品TOC含量、生烃潜力(S1+S2)和氯仿沥青“A”含量平均分别为2.17%、2.26mg/g和0.264‰,有机质丰度整体达到了中等烃源岩的标准;干酪根类型指数(TI)均小于0,δ¹³C平均值为-25.0‰,有机质类型主要为腐殖型和腐泥_腐殖型;镜质体反射率(RO)平均值为1.17%,主体处于生油高峰期后。新场须五段泥岩生气强度主体介于(3~16)×10⁸m³/km²之间,具备形成中小型气田的资源基础。新场须五段泥岩总生气量相对较低,生成的天然气无法完全驱替掉地层中的水,因此气藏中天然气充满度整体偏低,导致在试采过程中气水同产且天然气产量整体较低。     

塔里木盆地塔西南坳陷和田凹陷普司格组烃源岩沉积环境及有机地球化学特征

二叠系是叶城_和田凹陷最为重要的烃源岩层系之一。通过和田凹陷杜瓦地区野外露头剖面及最新钻井分析,并结合有机地球化学测试数据,对二叠系普司格组烃源岩沉积特征、古环境及有机地球化学特征进行研究。结果表明：普司格组烃源岩发育在滨湖、浅湖及半深湖亚相中,乌鲁吾斯塘地区和杜瓦地区为烃源岩沉降中心,以低Pr/Ph值、较高伽马蜡烷指数等为特征,表现出较强还原性、较高盐度下具有一定水体分层的湖相沉积产物。普司格组烃源岩有机碳(TOC)值为0.12%~5.68%,为“差-中等”烃源岩,有机质类型以Ⅱ型、Ⅲ型为主,镜质体反射率R_O值为0.72%~1.385%,主体已进入成熟-高成熟阶段。结合地震资料、生储盖条件分析认为,杜瓦地区普司格组烃源岩生烃潜力较好,逆冲推覆体为油气勘探的可能有利区域,准原地质体为塔西南坳陷山前带最为有利的油气勘探区域,原地质体埋深很大,是目前勘探工作面临的主要挑战之一。     

128×128短波/中波双色红外焦平面探测器

首次在国内报道了128×128面阵短波/中波（SW/MW）双色碲镉汞（HgCdTe）红外焦平面探测器（infrared focal plane arrays, IRFPAs）的研究成果.基于由采用分子束外延（MBE）和原位掺杂技术生长的ppPN型碲镉汞（Hg1-xCdxTe）多层异质结材料,通过B+注入、台面腐蚀、台面侧向钝化和爬坡金属化,以及双色探测芯片与读出电路（Readout Integrated Circuit,ROIC）混成互连等工艺,得到了128×128面阵双色焦平面探测器.通过湿化学腐蚀方法的优化,将光敏元尺寸为（50×50）μm2的双色微台面探测器的占空比提高了一倍.该面阵双色红外焦平面探测器具有较好的均匀性和正常的光电特性.在液氮温度下,二个波段的光电二极管截止波长λc分别为2.7μm和4.9μm,对应的峰值探测率D*λp分别为1.42×1011cmHz1/2/W和2.15×1011 cmHz1/2/W.     

具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构

针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对器件击穿电压和导通电阻的影响,结果表明文中所提出的新结构具有高的击穿电压、低的导通电阻以及较好的工艺容差等特性.此外,该结构与智能功率集成技术兼容.     

无线局域网接收机用频率综合器的关键技术

对无线局域网接收机用锁相环型频率综合器的几项关键技术进行了研究.首先分析了锁相环型频率综合器的结构并提出了系统的主要参数.采用TSMC 0.18μm射频CMOS工艺设计了一个具有低相位噪声的单片LC调谐型压控振荡器.其在4.189GHz频点上4MHz频偏处所测得的相位噪声为-117dBc/Hz.采用TSMC 0.18μm混合信号CMOS工艺实现了具有低功耗的下变频模块电路.该电路在1.8V电源供电下可正常工作,功耗为13mW.     

毫秒激光致铝熔融液体准稳态喷溅的模型

通过对毫秒激光致铝(Al)熔融液体喷溅过程中 热通量的研究,建立了熔液在轴对称坐标下形成准稳态 喷溅的运动模型;进而通过解析和数值计算相结合的方法,得到了熔液准稳态喷溅过程中靶 材的中心点温 度、熔液表面的流动速率、熔池中心点的下降速度以及熔液喷溅后熔池的形貌。计算得到的 熔池中心点下 降速度随脉冲激光作用时间的增加而减小,熔液表面流动速率在准稳态喷溅时随熔池半径的 增加而增大。 计算得到的熔池形貌与实验结果相吻合,继而分析了毫秒激光致Al熔液准稳态喷溅时熔池中 心点温度和气 化区域半径随作用激光功率密度的变化关系。随作用激光功率密度的增加,更多的激光能量 转化为靶材的 内能,从而增加了熔液准稳态喷溅时熔池中心点的温度和气化区域半径。     

润滑油缺失工况下不同活塞环涂层对缸套摩擦磨损对比研究

为研究润滑油缺失工况下不同活塞环涂层在不同温度下与缸套的摩擦学性能,选取5种商用活塞环涂层,利用扫描电子显微镜观察不同涂层的截面形貌,利用往复式摩擦磨损试验机,在润滑油缺失工况下,分别在常温、200 ℃和350 ℃条件下进行摩擦磨损试验,利用轮廓仪和光学显微镜分别观察摩擦试验后的磨损量和磨痕形貌。结果表明：CrN基涂层和CKS涂层主要为黏着磨损,对缸套磨损大,不同温度下摩擦学性能稳定;含DLC涂层主要为磨料磨损,常温摩擦因数小,高温下不同涂层有较大差异,其中CDC+DLC涂层综合性能最佳。     

基于模糊控制遗传算法的输电系统最优化规划

用遗传算法求解优化问题时,要花费大量时间对基因进行测试,,速度较慢。另外,遗传算法的性能还强烈地依赖于一睦相关参数（例如交叉和变异的概率）的选取。文中以电网规划为背景,对简单遗传算法（ＳＧＡ）进行了多方面改进,得到模糊控制遗传算法（ＦＬＣＧＡ）。该算法速度快,收敛到全局最优解的概率大。与基于传统遗传算法的电网规划比较,ＦＬＣＧＡ算有明显的优越性。     

COLD-WORKING AND HEAT-CRACKING IN Ni-Cu-BASE MONEL ALLOY K-500

ＣＯＬＤＷＯＲＫＩＮＧＡＮＤＨＥＡＴＣＲＡＣＫＩＮＧＩＮＮｉＣｕＢＡＳＥＭＯＮＥＬＡＬＬＯＹＫ５００①ＹｕａｎＣｈａｏ１,２,ＹａｎｇＨｏｎｇｃａｉ１,ＷａｎｇＺｈｉｘｉｎｇ１ａｎｄＧｕｏＪｉａｎｔｉｎｇ２１ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｅ...