3-D MCM封装技术及其应用

介绍了超大规模集成电路（VLSI）用的3-D MCM封装技术的最新发展，重点介绍了3-D MCM封装垂直互连工艺，分析了3-D MCM封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题，并对3-D MCM封装的应用作了简要说明。     

钴氧化物材料物理参数对ZnO压敏电阻器性能的影响

本文阐述了钴氧化物材料物理参数对ZnO压敏电阻器性能的影响。通过对不同厂家、不同批次的钴氧化物进行包括X光衍射、电子显微观察、原子光谱、比表面积、颗粒度分布的全面对比分析,发现国内大多数标志为Co_2O_3的试剂均为Co_3O_4;在相同的配方、工艺条件下仅由于Co_3O_4的生产厂家或批次不同而引起ZnO压敏电阻器性能巨大差异的内在根源之一是这些Co_3O_4的晶粒太大。对其原因进行了理论探讨。还对用于ZnO压敏电阻器的Co_3O_4材料物理参数提出了明确的要求。     

粉体材料的粒度及影响

本文阐述了电子元件所用粉体材料的粒度对元件性能的影响。介绍了几种常用的粒度测试方法，提供了不同生产厂的ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｃｏ３Ｏ４、ＣａＣＯ３的透射电镜的对比照片，并指出材料的粒度影响电子陶瓷元件的烧结过程，不同组分的均匀性，基片的密度以及生成物的种类和比例。最后建议建设电子元件用粉体材料的专用生产线并抓紧制定电子元件专用材料的质量标准。     

空心微球表面化学镀Ni薄膜的工艺研究

比较空心微球表面化学镀Ni薄膜的工艺.分别以Sn-Pd胶体溶液和[Ag(NH3)2]+溶液作为活化剂,将空心微球表面进行活化,再采用化学镀的方法分别在其上淀积金属Ni薄膜.使用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散光谱(EDS)和X-射线衍射光谱(XRD)对两种工艺所镀Ni薄膜的表面微观结构和组分进行表征.结果表明:用Sn-Pd胶体溶液活化后的空心微球表面淀积了均匀、致密的金属Ni薄膜,该薄膜是由大小约100 nm的颗粒组成;而以[Ag(NH3)2]+溶液活化后的空心微球表面淀积的金属Ni薄膜,是由大小约1 μm的颗粒组成.并分析了这两种镀层形成的机理.     

纳米晶镁铝水滑石／聚乙烯复合阻燃料的制备

采用共混法制备聚乙烯／镁铝水滑石纳米复合材料。XRD、SEM、TEM和性能测试表明：镁铝水滑石纳米晶体分散在聚乙烯基体中，且有少部分发生插层；阴离子表面活性剂对水滑石的处理效果要优于偶联剂；pH值对处理效果有一定影响；镁铝水滑石阻燃剂填充聚乙烯体系阻燃效果，要优于填充A1（OH）3阻燃剂。     

视频会议中的多画面码流合成的研究与实现*

H.323视频会议系统中的多点控制单元(MCU)能在多点会议中提供音频、视频和数据流的集中处理。针对视频信息的处理需求,提出了一种实用的多画面码流合成策略,它具有计算复杂度低、处理速度快、延时小、不改变原有画面质量等特点。     

K+对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

采用传统的陶瓷工艺,制备了ZnO压敏陶瓷。研究了K+掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:当x(K+)小于40×10–6时,对其电性能几乎没有影响;但若x(K+)超过60×10–6后,由于K+在晶界和三角区的大量偏析,破坏了晶界层的稳定,导致其浪涌电流耐受能力严重劣化。     

Bi_2O_3掺杂对Mn-Cu-Ca系负温度系数热敏电阻性能的影响

通过在Mn-Cu-Ca系负温度系数热敏电阻器(NTCR)配方中掺杂质量分数x%的Bi2O3(x=0,0.5,1,2.4,4.8,7),采用传统固相反应法制备了单层圆片式热敏电阻元件,研究了该元件的微观结构和电性能。实验结果表明:Bi2O3存在于晶界处,Bi2O3的存在增大了元件的晶粒尺寸,同时影响元件的气孔率。Bi2O3的引入降低了元件的室温电阻率,拓宽了元件的使用温区。当Bi2O3的添加量为质量分数4.8%时,元件具有较低的室温电阻率(6?·cm)及较宽的使用温区(室温~240℃)。     

M型铁氧体BaFeCoTiMnO微波吸收性能研究

采用共沉淀–熔盐法制备了M型铁氧体BaFe11.85-2xCoxTixMn0.15O19。运用TGA-DTA、XRD、SEM和矢量网络分析仪,对样品的晶化过程、相组成、显微形貌及微波吸收性能进行了表征。结果表明:Co2+、Ti4+固溶到铁氧体的晶格并取代Fe3+位,有助于提高铁氧体的电、磁损耗。当取代量x为1.2时,微波吸收最强,制得的样品的吸波频率在8.2～12.4 GHz范围内,tanδe、tanδμ的最大值分别为:9.0,6.8。     

燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能

采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt%时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌。利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2～12.4GHz频率范围的微波介电常数,10wt%PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ。