伊朗卡尔黑水利枢纽

伊朗卡尔黑多目标水利枢纽，首台机组于2002年9月投运。介绍了工程历史，并从导流系统遂洪道、渗漏控制和惟幕灌浆等方面介绍了工程的技术要求。     

减少中间包水口堵塞操作上的持续进步（续）

４．２迁移对中间包的传输现象进行分析，可推测堵塞物是由浇注区转移到中间包水口的氧化铝或中间包钢液流动中形成的氧化铝形成的。１９９３年中期开始使用钟罩式长水口后，通过拆除中间包内部挡墙，中间包从每流双挡墙／坝变为坝／挡墙／坝结构。拆除中间包内部的挡墙对...     

2008年8核心处理器的诱惑——解析Intel最新处理器发展

在新一届的IDF上，Intel展示了其最宏伟的x86架构改进计划，涉及20余款应用于不同层面的核心，其公开的路线图直接规划到了2008年，甚至2009年的相关动向也已经有了提及。于业界而言，这无疑是一枚重磅炸弹，将给未来带来深远的影响。[编者按]     

马尔马里克河高土凡滑坡的原因

介绍了马尔马里克河土坝滑坡的成因，对滑坡进行了分析研究。强调了进行监测对于预测滑坡的重要性。     

用脱氢双硫腙树脂和等离子体发射光谱法测定地质样品中金、铂和钯

本文介绍了一种测定硫化物矿石、浓缩物和冰铜中金、铂和钯的分析方法。本法是基于贵金属在含有吸附剂P—TD的小型树脂柱(0,7×2.5cm)的色层分离和先后用2mol/L过氯酸和5％(w/v)硫脲溶液进行选择性洗脱。最后将预浓缩的Au,Pt和Pd用直流等离子体发射光谱进行测定。对标准参考样品重复分析表明,本方法是可靠的。     

区域布线技术

当你想到区域布线时，首先映入脑海的可能是敞开的办公环境。区域布线的方法已经问世多年，它们都是按照TIA／EIA标准进行指定和规范，并且由于它能够简化工作区的移动、添加和更改（HAC）而闻名。然而区域布线不仅能够使开放办公环境具有充分的灵活性，它还是一种可以延伸至其它区域的布线技术，而且有利于配置更加先进及未来的技术。     

超大规模集成电路中任意形状掩模边缘附近的离子分布

离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。     

高衬底温度下溅射淀积二硅化钛膜

我们在室温和600℃下用复合的二硅化钛靶在〈111〉向的裸硅片上溅射淀积了二硅化铁膜。室温下淀积的二硅化钛膜需要在900℃下进行烧结,以使其电阻率降低。而600℃下淀积的二硅化钛膜已经反应充分形成颗粒较大的没有氧沾污的多晶状,而且该膜抗氧化。将该膜在900℃下进行进一步退火,发现其晶体结构、成分、电阻率即晶粒大小没有变化。