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1.
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3.
工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。 相似文献
4.
采用实验室所得垃圾渗滤液后处理专用镁铝脱色复合絮凝剂配方进行了批量扩大化生产,设计开发了中试专用絮凝反应设备,在垃圾填埋现场进行了絮凝中试。结果表明,优化处理量为100 L/h、搅拌速度为170 r/min、投药量为质量分数10%,在此条件下,COD、BOD5、色度、重金属去除率分别大于40%、45%、90%、88%,优于同类常规市售絮凝剂聚合氯化铁、聚合氯化铝、聚合硫酸铝铁;单一絮凝单元处理后的色度可降到32倍,处理后的Cu、As、Cr、Pb含量接近于0,符合GB 16889-2008相关要求。PMAS和专用絮凝反应器,为垃圾渗滤液处理提供了一种生化主处理+絮凝后处理的效率较高、经济性较好的技术选择。 相似文献
5.
采用传统机械加工方法研究了碳化硅陶瓷密度对光学镜面加工质量的影响,指出碳化硅陶瓷密度对光学镜面加工质量有一定影响,但在一定密度范围内,通过改善光学镜面加工工艺均可得到较好的表面质量.通过对加工机理的分析得出,在碳化硅陶瓷光学镜面加工过程中,材料去除方式与磨粒尺寸有关,选择适当的磨粒尺寸可实现材料去除方式由晶粒去除向延性去除的转变,从而有效地降低表面粗糙度. 相似文献
6.
固相反应法制备 Ce:LuAG透明陶瓷 总被引:3,自引:0,他引:3
以Lu(NO3)3和NH4HCO3为原料,采用沉淀法制备了平均粒径约为40nm的Lu2O3粉体,以该粉体和市售的Al2O3、CeO2超细粉体为原料,采用固相反应工艺,经1760℃真空烧结10h,制备出透明的Ce:LuAG陶瓷,该透明陶瓷在可见光范围内的透过率为56%,X射线激发下的发射光谱为Ce^3+的特征发射,范围在470-650nm,和同类单晶的光谱一致,正好在硅光电二极管的高敏感曲线范围内,满足于闪烁体的性能要求,是一种有应用前景的闪烁材料. 相似文献
7.
8.
以Sr2CO3、Si3N4和Eu2O3为原料, 以C为主要还原剂, 采用碳热还原氮化工艺合成Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉, 着重研究了C、Sr2CO3添加量及Eu2+浓度对产物物相及发光性能的影响。研究结果表明: 当C与Si3N4的摩尔比 nc/
=9/5时,合成出Sr2Si5N8:Eu2+单相荧光粉, 添加适当过量的Sr2CO3可提高合成产物的N含量, 且荧光粉的发光强度与其N含量呈现正相关关系。在450 nm蓝光激发下, 受Eu2+的4f65d1 → 4f7跃迁作用, Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉在550~700 nm波段范围产生非对称宽带发射。随着Eu2+掺杂浓度由1.5mol%增加到20mol%, 荧光粉的发光强度先增强后减弱, 达到2mol%时发生浓度淬灭现象; 发射主峰由608 nm逐步红移至641 nm; CIE色坐标从(0.606, 0.393)位移至(0.656, 0.343), 是一种可用于白光LED的优质红色荧光粉。 相似文献
9.
10.
本研究提出一种Cf/SiC复合材料表面改性新方法为水基浆料涂覆结合原位反应烧结工艺。系统研究了SiC和炭黑在水基浆料中的共分散、粘结剂的量和浆料固含量对浆料流变性能的影响、涂层的微观结构和性能等。研究结果表明: 采用水基浆料涂覆工艺可在基材表面制备一层气孔率达49%的多孔C/SiC预涂层; 通过液相渗硅原位反应工艺, 多孔预涂层转变为高致密、与基材强结合的光学涂层, 并且在涂层与基材间形成了~ 15 μm的化学反应过渡层; Si/SiC涂层的维氏硬度为(14.19 ± 0.46) GPa, 断裂韧性为(3.02 ± 0.30) MPa·m1/2; 经过精细研磨抛光, 涂层的表面粗糙度可达2.97 nm RMS。 相似文献