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NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
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可关断晶闸管简称GTO,它具有晶闸管的全部特点,如耐压高、电流大、承受浪涌能力强、造价便宜等。此外,它还有自己独特的优点,即用门极讯号既可控制其导通,又可控制其关断,这对晶闸管来说是实现不了的。众所周知,晶闸管一旦在门极讯号作用下,使其导通后,即使撤去门板讯 相似文献
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介绍了以单片机8031为微处理机的加工精度统计分析仪的技术特性、工作原理、系统的硬件结构以及软件设计。 相似文献
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本文论述了杆件结构多刚体-弹簧系统模型的建立及其在平面弯曲情况下动力学方程的推导,文中用此方法对梁动力大变形与非线性材料的动力响应作了数值分析。 相似文献