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1.
一种便携式超高频RFID读写器的设计 总被引:2,自引:0,他引:2
该文首先分析了超高频RFID读写器的硬件架构,然后对AS3992芯片的特性进行了介绍,对其关键指标进行了分析,随后对RFID信道中的损耗进行了估算;该设计采用AS3992内部低功率线性输出,设计了对应的射频前端电路,并进行了ADS仿真验证,最后分析了ISO/IEC 18000-6B数字基带中的清点标签流程,对读写器进行了性能指标测试。 相似文献
2.
基于PSP模型提出一种新的RF-MOSFET模型。针对实际器件的物理结构,解析提取了RF条件下MOSFET的寄生参量。最终,将模型应用到某工艺线一共源连接n-MOSFET上,在保证PSP精确拟合直流特性的前提下,在高达40GHz的频率下对S参数的仿真和测试结果进行比较,具有一定的精度。 相似文献
3.
单相交流参数测量仪设计 总被引:2,自引:2,他引:0
为了测量实验室中DC-AC逆变变频单相交流电参数,设计了基于MSP430F169单片机的单相交流参数测量仪.与采样、过零比较电路配合,利用单片机片内定时器测量频率和相位差;与采样、放大、精密整流和滤波电路配合,利用片内A/D转换器通过瞬时采样法测量电压、电流有效值并计算出视在功率、有功功率和无功功率.经原理样机验证可在LCM12864点阵显示器上显示出各参数测量值. 相似文献
4.
5.
该文探讨了60 GHz 功率放大器的设计方法,设计并测试了基于0.07μm GaAs 工艺的60 GHz毫米波单片功率放大器,该放大器采用共源结构,单级放大,工作电压为1.2 V,工作电流为27 mA,在62.2 GHz 时有最大小信号增益4.9 dB,60 GHz 时仿真的输出1 dB 压缩点功率为12 dBm。 相似文献
6.
在射频集成电路中,Inp衬底的高电阻率导致了低衬底损耗以及器件和电路性能的提高。该文提出了Inp衬底上MIM电容和电阻的简单而精确的等效电路模型。测量结果与等效电路的仿真结果拟合得非常好,从而证明该文提出的模型足以准确地描述Inp衬底上MIM电容和电阻的电磁场特性。另外,Inp和GaAs同属于Ⅲ-Ⅳ族化合物。它们具有相似的性质,因此,该文提出的模型同样适用于GaAs衬底上的电容和电阻。 相似文献
7.
8.
给出一种基于正交设计的微波集成电路设计优化的方法,该方法采用多轮正交设计,通过模拟设计参数空间中有限组电路的频率响应,可在整个参数空间中对多个目标快速寻优。与传统方法相比,该方法不依赖初始值,能够较快地收敛到全局最优解。用微波宽带四级分布放大器设计算例表明该方法可用于电路设计优化,具有实用价值。 相似文献
9.
10.