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用溶胶凝胶法制备纯CaCu3Ti4O12(CCTO)薄膜以及NiO掺杂CaCu3-x Nix Ti4O12(CCNTO)薄膜(x=0.10、0.20、0.30),研究了掺杂NiO对CCTO介电性能以及微观结构的影响。通过AFM图片可以看出,掺杂NiO的CCTO薄膜的晶粒尺寸比不掺杂NiO的CCTO薄膜的晶粒尺寸小。当x=0.2时,CCNTO薄膜的漏电流最小,最小值为0.546 mA,同时具有最大阈值电压与最大非线性系数,最大值分别为81 V/mm和1.9。当Ni掺杂量达到一定程度时,CCNTO薄膜的介电常数就会增加,总体来说,随着Ni的掺杂量增加,CCNTO薄膜的介电损耗呈上升趋势。 相似文献
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用溶胶凝胶法制备纳米SrFe12O19磁性粉末,并用磁强计检测SrFe12O19粉末的磁性能,在NiTi合金、316L不锈钢表面用溶胶凝胶法制备含SrFe12O19磁性粉末的TiO2薄膜,并用X射线衍射仪分析薄膜成分.测试不同层数薄膜的微磁场强度,并对这些薄膜测定动态凝血时间和溶血率,以研究不同的表面微磁场强度对材料血液相容性的影响.结果表明:材料表面的微磁场强度愈高,材料血液相容性愈好. 相似文献
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采用溶胶凝胶法制备掺杂不同含量NiO(CaCu3NixTi4O12+x,x=0, 0.1, 0.2, 0.3)的CCTO陶瓷,通过扫描电镜和 X 射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,并研究了NiO掺杂对CCTO介电和压敏性能的影响。研究结果表明:Ni对CCTO陶瓷的相位成分没有影响,与用传统固相法制得的样品相比,用溶胶-凝胶法制成的样品具有更小的晶粒尺寸。从介电测量结果来看,当 x=0.2 时,样品具有最高的介电常数和最低的介电损耗。当x=0.3时,得到最低的漏电流,最小值为 0.295,同时,具有最高的阀值电压与非线性系数,最大值分别为1326V/mm和3.1。 相似文献
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首次将板壳理论用于窨井强度、刚度的分析、计算,对Dr,Dθ的算法提出了自己的设想,得出不同形式载荷作用下的挠度公式。并以实例进行了计算。 相似文献
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用溶胶-凝胶法在316L不锈钢及镍钛合金基片上制备含SrFe12O19磁性粉末的TiO2薄膜,分析了膜基的结合强度,并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等对磁性粉末的表S面结构及形貌进行了分析.动态凝血时间和溶血率的测定结果表明用含磁粉的TiO2薄膜进行表面改性的316L不锈钢和NiTi合金动态凝血时间延长,溶血率下降,证明含磁粉的TiO2薄膜有很好的血液相溶性. 相似文献
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芳香族电子导电高分子的应用和进展 总被引:3,自引:0,他引:3
芳香族导电高分子由于同时具有金属或半导体的导电性能和芳香族聚合物热稳定性高,化学稳定性好,质轻牢固及良好的加工成型性的特点,春应用正受到人们越来越多的关注。文中综述了芳香族电子导电高分子的应用和研究进展,指出其存在问题和解决方法。 相似文献