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介绍了用RF溅射法制备InSb薄膜时,如何克服In的氧化问题的措施及防止InSb薄膜在热处理过程中继续氧化和挥发的方法。对实验结果进行了电镜和俄歇电子能谱测试分析。结果表明,只要控制好工艺条件,可以获得较好的效果。 相似文献
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设计了一种用于 LCD驱动的 4位专用微处理器 ,按照功能框图对其特点进行分析。该微处理器具有丰富的指令集 ,能够满足 LCD显示的各种要求 ,系统最大特色就是提供了比较完备的用于测试片内模块故障的测试模式。在对系统各模块的结构和功能进行分析基础上 ,在测试模式下 ,对系统功能、功耗进行了仿真模拟 相似文献
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介绍一种基于原子比为1:1的InSb靶制备原子比为1:1的InSb薄膜的方法,实验结果表明,该方法能较好地解决类似化合物溅射制膜过程中膜成分与靶偏离问题。 相似文献
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热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
文中从理论和实验分析了热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响。热处理温度、时间和升降温速率都对薄膜特性有影响,通过实验得出了最佳的热处理温度、恒温时间和升降温速率。最后讨论了热处理过程中所采用的3种保护膜。 相似文献
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