统计信息化中的数据建模方法及应用

基于在统计报送、分析等领域的多个项目的实践工作经验,结合国外统计界广泛采用的开源统计工具,设计了一套具有良好适应性与扩展性的统计建模方法,即"四维数据存储结构"与"外置式统计工具包",并在项目中得到了验证。     

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-xGex/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH4的分解应该是每个SiH4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH4的吸附率正比于表面空位的4次方,并分析了GeH4的表面吸附机制.在此基础上建立了UHV/CVD生长Si1-xGex/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟,二者符合得很好.     

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子全部都吸附到了 Si表面 ,Si H4 的吸附率正比于表面空位的 4次方 ,并分析了 Ge H4 的表面吸附机制 .在此基础上建立了 UHV/CVD生长Si1- x Gex/Si的表面反应动力学模型 ,利用模型对实验结果进行了模拟 ,二者符合得很好     

用固相外延方法制备Si1-x-yGexCy三元材料

分析了Si1-x-yGexCy三元系材料外延生长的特点,指出原子性质上的巨大差异使Si1-x-yGexCy材料的制备比较困难.固相外延生长是制备Si1-x-y的有效方法,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择.通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系.指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应,影响以后的再结晶过程.采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区.在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si1-x-yGexCy/Si材料的最佳条件.     

军队数字化专业技术人才画像及培养路径探析

基于扎根理论的视角,通过访谈三类人员,对军队数字化专业技术人才进行三级编码分析,构建基于品质、学识、技能、能力、精神、创新六个要素的军队数字化专业技术人才画像。通过标准画像和现实画像对比,为军队数字化专业技术人才成长发展提供自我诊断工具,并围绕六个要素对应提出加强理想信念教育、完善专业知识体系、强化岗位实践锻炼、突出大项任务锤炼、健全奖惩激励机制、优化成长环境模式的培养路径。     

导热硅脂的研究进展

概述了导热硅脂的组成和导热机理,着重介绍了从填料上改善导热硅脂导热性能的主要途径,阐述了导热硅脂的应用情况,并对今后的研究方向进行了展望。     

转移阻抗法测试射频衬垫屏蔽效果的研究

主要探讨了用转移阻抗法测试射频衬垫屏蔽效果的测试原理,对应用该原理设计的4种气动式测试夹具装置进行了比较和分析。应用最新的改进型气囊加压式测试夹具装置测试了两类衬垫的屏蔽效果,并比较和分析了测试结果。     

SnO2纳米颗粒对Sn0.6Cu钎料微观组织及界面金属间化合物的影响

本文利用超声波辅助法制备了SnO2纳米颗粒增强Sn0.6Cu钎料。研究了SnO2对钎料的微观组织、熔化性能的影响,以及Cu/Sn0.6Cu-XSnO2/Cu钎焊接头界面反应产物的变化,测量了金属间化合物层的厚度和晶粒尺寸。结果表明：1.0wt.% SnO2很好的抑制了钎料中β-Sn的长大,细化了晶粒尺寸;含SnO2钎料的熔点与不含SnO2钎料熔点基本相同,但熔程明显减小;钎料熔炼过程中施加超声波可以细化晶粒,制得的钎料熔点和液相线温度也低于普通熔炼钎料。用含SnO2钎料钎焊接头界面处的IMC层更薄且晶粒尺寸更小,主要是因为SnO2纳米颗粒吸附在界面金属间化合物的晶面处阻碍铜板与钎料基体之间的相互扩散,导致IMC的形成驱动力较低,从而抑制了界面化合物的生长。     

雷电波对电力系统行波故障测距法的影响分析

行波法由于其稳定和准确性,广泛应用于电力系统。雷电波是影响行波故障测距的重要因素之一,通过对雷电波故障进行仿真,比较了非故障性雷击和故障性雷击的特点。仿真实验结果表明,合理利用双端测距原理对雷击故障进行测距具有较高精度。     

假设检验在电厂DCS/FCS验收中应用的研究

目前集散控制系统（DCS）／现场总线控制系统（FCS）工程验收中输入，输出（I/O）通道合格与否只接受定性测量。为了更精确的评价DCS/FCS设备质量，评估设计、安装、调试的水平，该文提出一种定量测量的方法。该方法基于统计学中假设检验的原理，根据OC特征曲线，限制第1类错误与第2类错误发生的概率，以确定信号测量的次数。对于测量结果的均值采用t检验，方差采用X^2检验，两次检验临界点处的显著性水平用来量化I／O通道品质。对于FAT测试与可用率测试中成对数据的差异可采用t检验，检验临界点处的显著性水平检验可作为设计、安装、调试水平的量化指标。文中继而提出测试步骤，最后通过工程实例证明了基于假设检验的定量测试方法的有效性与正确性，为工程验收测试的进一步改进拓展了思路。