La2O3掺杂铁基记忆合金涂层组织与性能研究

为了探究La2O3 对激光熔覆形状记忆合金涂层组织和性能的影响,采用宽带激光熔覆技术在 42CrMo中碳钢表面制备了掺杂La2O3 的Fe17Mn5Si10Cr5Ni形状记忆合金复合涂层,通过表征得到了La2O3 对复合涂层的显微组织、维氏硬度、耐磨性、耐蚀性和表面残余应力的影响结果.结果表明,La2O3 显著降低了晶粒尺寸,掺杂质量分数w=0.009时,晶粒尺寸达到最小值 3.03 μm,而复合涂层具有最大硬度 454.7 HV0.2,磨损量最低;并得到最低的自腐蚀电流为4.287×10-7 A/cm2,最高的自腐蚀电位为-0.843 V,涂层保护率达到 94.83％,La2O3 明显提高了涂层的耐腐蚀性能;此时涂层的残余应力由拉应力转变为压应力,并在Fe-Mn-Si/La2O3 产生的最大残余压应力值为-378 MPa.此项研究为低应力高性能激光熔覆涂层的开发和推广提供了实践参考.     

ZnO压敏防雷芯片工频耐受与通流能力的相关性

为了研究ZnO压敏防雷芯片的工频过电压耐受特性和8/20μs通流能力的相关性,在生产线上抽取同批次产品进行工频过电压耐受试验和8/20μs通流能力试验。研究结果表明:工频过电压老化后会使压敏电阻的通流能力下降,但经过8/20μs雷电流峰值20 kA冲击后,压敏电阻的工频过电压耐受能力会增强,在冲击15次左右时达到最大值,随着冲击次数的增多,工频过电压耐受能力会降低。     

K+对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

采用传统的陶瓷工艺,制备了ZnO压敏陶瓷。研究了K+掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:当x(K+)小于40×10–6时,对其电性能几乎没有影响;但若x(K+)超过60×10–6后,由于K+在晶界和三角区的大量偏析,破坏了晶界层的稳定,导致其浪涌电流耐受能力严重劣化。     

侧面高阻釉对ZnO压敏防雷芯片电性能的影响

为了抑制压敏防雷芯片边缘低熔点元素在烧结过程中的挥发,在芯片侧面涂覆不同配方高阻釉,研究其对压敏防雷芯片电性能的影响。结果表明:涂覆了高阻釉的芯片组分均匀性得以提高、缺陷减少,样品的8/20μs大电流耐受能力提高;在1 000 mA工频电流作用下,芯片的熔穿点位于芯片中部铜电极区,利于热脱离机构动作,从而提高芯片的暂态过电压耐受能力。     

Y2O3掺杂对ZnO压敏陶浇电性能的影响

采用传统的陶瓷工艺,对比研究了不同Y2O3含量对ZnO压敏电阻器的性能的影响。结果表明：掺杂Y2O3能够细化晶粒、提高ZnO压敏电阻器的电压梯度．当掺杂量为0．8％时,电位梯度达270V／mm。但样品致密度较低。电性能下降。当Y2O3含量为0．1％时,电位梯度与未掺杂Y2O3的样品相当,其致密度较高,晶粒尺寸一致,电性能最佳。     

化学合成法试制超细超导体瓷料的新工艺

研究了超细超导体瓷料用化学合成法试制的新工艺。通过将溶液中的超导阳离子均匀沉淀、烘干、煅烧后得到成分和粒度分布均匀的超微细瓷料。     

铜对铁基合金激光熔覆涂层的影响

采用激光熔覆技术在Q235A钢表面制备Fe/Cu复合涂层,利用XRD,SEM,TEM和滑动磨损试验等方法研究了Cu对铁基合金激光熔覆涂层的影响.结果表明,未经时效处理的Fe/Cu熔覆层主要是由α-Fe、正交结构的M7C3和M23C6构成.在马氏体上分布着高密度的位错,而且位错沿着熔覆基材向熔覆层方向延伸分布.熔覆层经时效处理后,ε-Cu颗粒沿着M7C3相由过饱和α-Fe中弥散析出,对其周围的位错起钉扎作用.时效后熔覆层的表面耐磨性能显著提高.     

共沉淀法合成Nd：YAG粉体及pH值的影响

以Y2O3、Al(NO3)3·9H2O和Nd(NO3)3为原料,碳酸氢氨为沉淀剂,均相共沉淀法制备Nd0.03Y2.97Al5O12(Nd:YAG)粉体.采用DSC/TG、XRD和TEM测试手段对粉末进行表征,研究pH值的影响.结果表明:pH值对合成粉体的成分和性能影响显著,当pH值为8.0时,前驱粉末在1 000℃热处理2 h后,全部转化成纯YAG相,粉体产生软团聚,主要为层状结构,并伴有小量纳米颗粒.     

退火工艺在化学法瓷料制备ZnO电阻片上的应用

对不同退火工艺下制得的化学法氧化锌电阻片的微观结构及脉冲电流性能作了对比分析 ,得出了脉冲电流冲击性能与退火温度和时间的关系。为批量生产化学法电阻片的退火工艺提供了制定依据     

化学合成瓷料对ZnO防雷阀片2ms方波通流能力的影响

对于化学合成瓷料和机械混合瓷料制得的ＺｎＯ防雷及避雷阀片的微观结构作了电子探针对比观测,得出阀片的２ｍ ｓ方波通流能力得以提高的原因在于瓷片的致密程度的提高及晶粒晶界的细致化和均匀分布