排序方式: 共有29条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
目的 对半导体晶片抛光过程中的工艺参数、耗材使用量、抛光垫状态参数等多源数据预处理后进行数据融合,建立材料去除率(MRR)预测模型,为实现半导体晶片抛光加工工艺的决策和处理奠定基础。方法 研究晶片抛光加工中的数据特点及数据融合需求,提取数据集中每个晶片加工过程中的统计特征并生成新数据集,同时引入邻域特征以应对晶片加工过程中动态因素对材料去除率的影响。提出基于深度自动编码器的多源数据融合及材料去除率预测方法。设计深度自动编码器参数,优化深度自动编码器的损失函数从而增强深度自动编码器对强相关性特征变量的重建。基于深度自动编码器进行多源传感器信号融合,降低数据维度。使用超参数搜索算法优化BP神经网络超参数,利用BP神经网络方法将融合后的数据进行半导体晶片抛光过程中的材料去除率预测。结果 采用PHM2016数据集对模型进行验证,均方误差MSE达到7.862,相关性R2达到91.2%。结论 基于多源数据的融合模型能有效预测MRR,可以对半导体晶片CMP工艺过程的智能决策与控制起到良好的辅助作用。 相似文献
3.
基于CCCII的电流模式多功能双二次滤波器 总被引:19,自引:1,他引:18
该文提出了由电流控制传输器(CCCⅡ)实现的新型电流模式多功能双二次滤波器,该滤波器由CCCⅡ和两个接地电容构成,电路具有以下特点:可实现多种滤波功能;易于集成;能独立地调节0和Q,且灵敏度较低。 相似文献
4.
5.
6.
7.
文章提出了一种由电流差分缓冲放大器(CDBA)实现的两种电流模式多功能双二次滤波器,该滤波器具有可实现多种滤波功能、能独立地调节ω0和Q、灵敏度较低等特点。 相似文献
8.
文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe (211) B /Si (211)材料的CdTe
外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe /Si结构,随着CdTe厚度的增加, [ 12121 ]、[ 0121 ]两个方向的剪切角γ[ 12121 ]和γ[ 0121 ]都有变小的趋势,且γ[ 12121 ]的大小约为γ[ 0121 ]的两倍;对CdTe /ZnTe /Si, ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变。 相似文献
9.
针对纸质分拣单使工人因对分拣指令理解困难,导致分拣效率较低且易出现误拣的现象,提出一种基于可穿戴增强现实的智能分拣方法,构建车间现场基于人工标识的全局感知和定位模型,研究工人在分拣过程中的信息和物理互联,实现分拣现场环境下手工分拣过程的增强可视化指引.通过实际车间现场分拣实验表明,该方法能够有效提高手工分拣的效率和准确... 相似文献
10.