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1.
计算得到低碳马氏体形成时使残余奥氏体富碳所需扩散的时间约为7×10~(-3)—3×10~(-4)s。与条状马氏体形成的时间——10~(-3)—10~(-6)s比较,可见碳的扩散跟得上或稍落后于马氏体条的形成。残余奥氏体均匀富碳的时间落后于马氏体条的形成至少达1个数量级。这些表明低碳马氏体形成时可能存在碳的扩散,但后者不是马氏体相变的主要或必需过程。若低碳马氏体按上贝氏体形式长大,则计算所得其长大速率仅3×10~(-4)cm/s,比现有实验数据至少低2个数量级。本文工作再次证明低碳马氏体的形成机制和上贝氏体的不同。 相似文献
2.
3.
一种新型冲击磨损试验机的研制 总被引:7,自引:1,他引:7
李学敏 《甘肃工业大学学报》1997,23(1):45-52
针对材料在纯法向往复冲击载荷作用下的磨损特性,对所研制的冲击磨损试验机,详细地描述了它的各种特性,并给出了热喷涂Cr3C2-25%niCr涂层在150MPa冲击载荷作用下,冲击150万次后的实验结果和SEM分析。 相似文献
4.
冲击载荷下热喷涂涂层的塑性变形行为分析 总被引:7,自引:0,他引:7
李学敏 《甘肃工业大学学报》1997,23(2):25-30
采用APS-Ar.H2,APS-Ar/He和CDS三种工艺制成的Cr3C2-25%NiCr涂层,在自制的冲磨损试验机上对其进行了冲击特性试验研究。根据试验结果和相应的实验分析,结合晶体位错理论,初步探讨了涂层在冲击条件下的变形机理。理论分析认为,涂层所产生的塑性变形不是连续的,表面变形也是不均匀的,是一个累积过程,这主要与冲击动能和涂层的微结构有关。 相似文献
5.
一类平面多项式系统的全局结构与分岔 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论一类余维2的高次退化的平面多项式系统的奇点分岔、闭轨分岔、奇闭轨分岔等局部分岔问题,利用Picard-Fuchs方程得到系统的全局分岔曲线,解决了一类比较复杂的多项式系统的全局结构与分岔问题。 相似文献
6.
7.
8.
以3-甲氧基-4-羟基苯甲醛(香兰素)为原料,经与盐酸羟胺反应得到3甲氧基-4-羟基苯腈,再与碱金属卤化物经脱甲基化反应合成3,4-二羟基苯腈,产品含量99.8%,以香兰素计总收率75.2%。与其他合成方法比较,这条合成路线更适合于工业化。 相似文献
9.
10.
针对直径检测及控制技术向大直径化硅棒发展的需求,设计一种低成本.功能适中的晶体生长控径系统。该系统以ARM9系列的S3C2440为核心,基于Linux嵌入式操作系统设计一种图像处理方法,根据亚像素原理计算出硅棒直径,并为上位机提供具有特定电平的模拟信号,从而控制直拉单晶硅生长速度,使系统实现测量数据可读化。实验表明,该系统能够很好地解决图像处理问题,图像处理的准确率满足直径检测系统的要求,且实现简单,成本较低.特别适合于对精度要求较严格的检测系统。 相似文献