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半导体芯片是所有封装半导体器件的核心功能部件,涉及芯片失效的分析是一项复杂且精细的工作,而对于特定使用性能的芯片,分析方法更是千差万别。本研究基于常见芯片发生异常的主要分析手段,介绍了激光测距传感器功能异常的失效分析方法,通过电性能测试及电路板的测试分析,缩小失效发生的功能区域,用I-U曲线测试确定失效的重现方法,最后使用光诱导电阻变化技术(OBIRCH)进行失效的定位,结合晶圆的去层化处理和聚焦离子束(Plasma FIB)微切,用扫描电子显微镜获得失效点的具体位置和形貌,确定失效原因为金属层连接通孔烧融,通孔熔断与造成芯片失效的机理一致,从而为芯片设计、生产工艺优化甚至客户的应用提供了有效的信息。 相似文献
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研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%~0.8%(摩尔分数)的氧化钇(Y2O3),其显微结构和电性能的变化情况。结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210V/mm提高到422.5V/mm;当掺杂量为0.6%(摩尔分数)时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA。掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相(Zn-Sb-Y-O)和含铋相(Bi-Sb-O),尖晶石相、含钇相和含铋相的同时存在更加有效地抑制了ZnO晶粒的长大。添加硼酸和增加含钇相在很大程度上改善了ZnO电阻片的电性能。 相似文献
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随着集成电路特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造工艺提出来更大挑战.彩虹效应是指晶圆局部或边缘处因异物,膜内分层,镀层厚度等原因导致晶粒表面所呈现的变色现象.本文基于模拟开关芯片开展失效分析,在芯片内晶粒局部检测到彩虹效应.并通过应用失效验证,电学参数测试,依据EMMI,OBIRCH的漏电流定位结果及电路原理图分析验证了彩虹... 相似文献
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从材料组成、显微结构控制和制备工艺等方面综述了国内外高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展,并展望了提高ZnO压敏电阻片电位梯度和通流容量的途径.采用三价过渡金属离子掺杂、减小添加剂粉料颗粒粒度以及控制合理的烧成制度,能明显减小晶粒尺寸,降低气孔率,增加晶界数目,提高晶界势垒,从而有效提高ZnO压敏电阻片的电位梯度. 相似文献
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腐蚀是影响塑封集成电路铜丝键合可靠性的重要因素,其与湿度、温度、Cl离子摩尔分数以及电位密切相关。针对Ni Pd Ag Au预镀框架与纯铜丝第二键合点的腐蚀失效现象,研究其评价方法,并通过实际工况分析采用不同浓度的NaCl溶液进行预处理以及电位对腐蚀结果的影响。将样品置于质量分数分别为0.5%、2.0%与5.0%的NaCl溶液中,对其进行高温、高湿预处理24 h,再进行96 h的高加速应力试验。结果表明,采用质量分数为5.0%的NaCl溶液进行预处理对加速腐蚀更有效,且腐蚀的键合点多数位于低电位引脚,少数位于高电位引脚。 相似文献
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绝缘材料是电气设备中的一种重要材料。随着电力工业的迅速发展.绝缘材料中的种类和应用范围不断扩大,对绝缘材料的性能提出了更高、更新的要求。为便于广大电气工作者深入了解绝缘材料的种类、性能、应用范围、国内外发展趋势.本刊特邀中国材料学研究学会理事,湖南大学教授、博士生导师肖汉宁等介绍《绝缘材料知识》,共分8讲,每期1讲,从本期起连载。 相似文献