GaAs梁式引线混频管四管堆

本文报道GaAs梁式引线混频管四管堆的研究结果.以半绝缘GaAs单晶为衬底,以NbMo/GaAs接触形成肖特基势垒,用二氧化硅和聚酰亚胺两种介质为钝化保护膜而制成的梁式引线混额管四管堆,其零偏结电容为0.05～0.11pF,串联电阻为3～6Ω,分布电容小于0.10pF,4个单管的一致性较好.将该器件分别用于7.5～18GHz和4～8GHz双平衡混频器中,单边带整机噪声系数分别小于6.6dB和5.0dB(不含中放噪声系数1.5dB),本振功率小于10dBm.     

辽宁海城某菱镁矿难选原因分析及浮选研究

采用ZEISS Sigma500扫描电镜和矿物自动分析系统(AMICS),对辽宁海城和大石桥菱镁矿进行工艺矿物学对比分析,研究得出海城菱镁矿脉石矿物种类复杂,且矿物嵌布粒度细是难选主要原因;菱镁矿与脉石矿物连生体较多,且包裹严重是难选的另一主要原因.针对海城难选菱镁矿,研发了有效捕收剂,采用反正浮选流程,取得了较好的技术指标,对低品位难选菱镁矿有效利用具有重要意义.     

GaAs四管堆集成引线混频管研究简况

<正> 梁式引线混频管的主要优点在于它去除了管壳,并加厚加宽了引线,使器件的寄生电容和引线电感都大为减小,因而它广泛适用于多倍频程宽带混频器及监频器等电路中。同时,由于器件是平面化的,因此,它也是单片集成的基础。 用GaAs材料制作梁式引线混频管与用Si材料相比,明显地减小了器件的串联电阻,具有截止频率高以及半绝缘衬底可以减少工艺步骤等特点。 南京电子器件研究所在制成单管梁式引线混频管后,又在较短的时间内开始研制GaAs四管堆梁式引线混频管管堆。该器件主要用于宽带双平衡器电路。目前研制的7.5～18GHz频段的四管堆具有较小的串联电阻(Rs≤3 Q)和变频损耗(Lc<5.0dB)。其形貌照片如图     

彩钼铅矿电子结构和暴露NKJ面预测的第一性原理计算研究

彩钼铅矿是重要的钼氧化矿,同时富含钼和铅两种有价元素,具有重要的综合利用价值。本论文基于密度泛函理论,采用第一性原理研究了彩钼铅矿的电子结构,从晶面未饱和键密度和表面能角度对彩钼铅矿的暴露面进行了预测,并与彩钼铅矿纯矿物的X射线衍射分析结果（XRD）进行了对比。结果表明,理想彩钼铅矿属直接带隙p型半导体,费米能级附近主要要由Mo的4d5轨道、O的2p4轨道和小部分的Pb6s2轨道电子贡献,Mo-O键重叠布居较大,在MoO4四面体基团内部沿着Mo-O键电子云分布较均匀,表现出较强的共价性,不易断裂。Pb-O键重叠布居较少,沿Pb-O键没有明显电子云分布,说明Pb-O键极有可能是以离子键键合或者不成键的形式存在。彩钼铅矿的{112}面和{001}面由于更低的表面能、更小的断裂键密度和更大的层间距,是彩钼铅矿的最可能暴露面,这一结果与XRD的分析结果相一致,也验证了第一性原理计算结果的准确性。上述结论有助于深入了解彩钼铅矿的物化性质,并为相关浮选机理的研究提供参考。