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利用高分子辅助沉积法(PAD)制备出钨掺杂二氧化钒(VO2)薄膜。采用X射线衍射、光电子能谱、扫描电子显微镜、Raman光谱等表征技术对不同含量钨掺杂的VO2薄膜性能进行了研究。结果表明:利用PAD方法制备的VO2薄膜质量较好,且钨离子掺杂成功。同时Raman光谱显示,钨掺杂1.0%(摩尔分数)的薄膜在相变过程中出现M2相。电学测试结果显示,钨掺杂的VO2薄膜相变温度大幅下降,每掺杂0.3%(摩尔分数)的钨离子,相变温度下降10℃,且随着钨掺量的增加,VO2薄膜的热滞回线宽度减小。 相似文献
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