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本文应用双口网络及滤波器理论系统地讨论了电视机VHF频段高频调谐器中输入带通滤波器的原理及设计. 相似文献
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制备了结构为ITO/SA/PBD/Alq3/Al的电压调制发光颜色的有机薄膜电致发光器件,研究了有机层厚度不同的器件的发光光谱随电压变化的性能,建立了器件的能级结构模型,并用这种模型解释了器件的电致发光性能。 相似文献
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陶瓷厚膜和薄膜混合电致发光器件 总被引:1,自引:1,他引:0
使用PbMg1/ 3Nb2 / 3O3 PbTiO3 PbCd1/ 2 W1/ 2 O3三元系电容器瓷料 ,采用流延工艺成膜 ,丝网印刷内电极 ,在 930~ 950℃下低温烧结的方法制备了陶瓷衬底。陶瓷厚膜在室温下的相对介电常数εr>1.4× 10 4 ,损耗tanδ≈ 1% ,具有极高的品质因素 (大于等于 80 μC/cm2 )。理论分析了电致发光器件的阈值电压与绝缘介质特性的关系。直接在陶瓷厚膜上制备了MIS结构和MISIM结构的以陶瓷厚膜为绝缘层的ZnS :Mn低压驱动电致发光器件 相似文献
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溶胶络合转化法制备CdS纳米微晶及其特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
依据高分子链上的配位基因与金属离子间络合反应平衡原理以及溶液中双电层扩散模型,提出了用溶胶络合转化法在甲壳胺中制备CdS纳米微晶的新方法。采用原子力显微镜(AFM)、X射线射图谱(XRD)、紫外一可见吸收光谱(UV)及激发一发射光谱等手段研究了甲壳胺膜中(CdS纳米微晶的特性,室温下的量子尺寸效应由实验得到了证实。此外发别采用Scherrer公式和AFM技术对晶粒尺寸进行了估算与测定,并对两中结果 相似文献
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The effects of N+ implantation under various conditions on CVD diamond films were analyzed with Raman spectroscopy, four-point probe method, X-ray diffraction (XRD), Rutherford backseattering spectroscopy (RBS), ultraviolet photoluminescence spectroscopy (UV-PL), Fourier transformation infrared absorption spectroscopy (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results show that the N+ implantation doping without any graphitization has been successfully realized when 100 keV N+ ions at a dosage of 2 × 1016 cm-2 were implanted into diamond films at 550℃ . UV-PL spectra indicate that the implanted N+ ions formed an electrically inactive deep-level impurity in diamond films. So the sheet resistance of the sample after N+ implantation changed little. Carbon nitride containing C≡N covalent bond has been successfully synthesized by 100 keV, 1.2×1018 N/cm2 N+ implantation into diamond films. Most of the implanted N+ ions formed C≡N covalent bonds with C atoms. The others were free state nitroge 相似文献
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图-1是一个Z80硬件系统的接口部分。CPU地址总线的低8位A7A6A5经74LS138译码,输出8个片选端y0、y1、…y7;CPU的控制线IORQ接译码器的使能端E_1、E_2;译码器的使能端E3接+5V;y0、y1、y2、y3分别接PIO、CTC的片选端CE和74LS244的使能端1和19,74LS273的时钟端11。 可以看出PIO的地址为00—1FH;CTC的 相似文献
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刘祖刚 《电气电子教学学报》2005,27(6):73-75
针对当前《模拟电路》教材理论体系存在的某些问题,从电子信息类工程专业学生工程能力培养角度出发,探讨了《模拟电路》教材理论体系新构架的若干问题。提出了《模拟电路》教材新理论体系构建的若干设想。 相似文献