脉宽调制器单粒子效应测试系统研制

本文在分析脉宽调制器(PWM)单粒子效应主要失效模式的基础上,研制了具备频率异常测试、占空比异常测试和参考电压测试功能的PWM单粒子效应测试系统,并在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上开展了单粒子效应试验。试验结果表明:单粒子效应会导致PWM输出信号的脉冲丢失和占空比改变,脉冲丢失时间和占空比改变的持续时间有时可达数ms;UC1825AJ型PWM的单粒子效应LET阈值约为4.4MeV·cm2·mg-1,UC1845AJ型PWM的抗单粒子性能受工艺批次的影响较大。     

3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunction bipolar transistors

This paper presents 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in domestic silicon-germanium heterojunction bipolar transistors （SiGe HBTs）. 3D damaged model of SiGe HBTs single-event effects （SEE） is built by TCAD simulation tools to research ions angled strike dependence. We select several different strike angles at variously typical ions strike positions. The charge collection mechanism for each terminal is identified based on analysis of the device structure and simulation results. Charge collection induced by angled strike ions presents a complex situation. Whether the location of device ions enters, as long as ions track through the sensitive volume, it will cause vast charge collection. The amount of charge collection of SiGe HBT is not only related to length of ions track in sensitive volume, but also influenced by STI and distance between ions track and electrodes. The simulation model is useful to research the practical applications of SiGe HBTs in space, and provides a theoretical basis for the further radiation hardening.     

Impacts of test factors on heavy ion single event multiple-cell upsets in nanometer-scale SRAM

Single event multiple-cell upsets (MCU) increase sharply with the semiconductor devices scaling. The impacts of several test factors on heavy ion single event MCU in 65 nm SRAM are studied based on the buildup of MCU test data acquiring and processing technique, including the heavy ion LET, the tilt angle, the device orientation, the test pattern and the supply voltage; the MCU physical bitmaps are extracted correspondingly. The dependencies of parameters such as the MCU percentage, MCU mean and topological pattern on these factors are summarized and analyzed. This work is meaningful for developing a more reasonable single event test method and assessing the effectiveness of anti-MCU strategies on nanometer-scale devices.     

工作状态下激光晶体内部温度分布实时的检测

针对半导体泵浦固体激光器(DPL)中激光晶体的温度分布问题,提出了一种在工作状态下对其进行实时监测的方法。该方法以基尔霍夫衍射原理为依据,通过对工作状态的激光器出射光斑进行实时检测,得到其光场分布,根据晶体折射率分布,对出射光斑光场分布的影响以及折射率变化与温度变化的关系,建立数学方程,推导并得到激光晶体内部的温度分布的解。该方法符合激光器实际工作情况。通过实例,验证该方法切实可行。     

钢结构金属板屋面施工技术分析

该文旨在系统研究钢结构金属板屋面的关键施工技术,提高屋面工程的质量和性能。通过对钢结构支撑体系优化设计、金属板材性能选型、精确安装工艺、防火防腐处理及节点构造设计等方面进行分析,总结出一系列行之有效的技术措施。研究表明,合理的结构布置、高性能材料的应用、数字化加工和装配式施工是提升钢结构金属板屋面综合性能的关键。工程实践证实,采用该技术,可显著提高钢结构金属板屋面的受力性能、耐久性和水密性,为同类工程提供了有益参考。     

固体表面润湿改性方法及应用

固体表面润湿行为涉及工业生产和人们生活的诸多领域,研究固体表面润湿行为及其润湿性能的调控方法具有重要意义。本文对前人关于固体表面润湿性能的研究进行了总结,介绍了固体表面润湿改性方法及其应用。     

基于模型特征优化钛合金热成形试验研究

钛合金钣金支架件因局部形状突变,成形困难易起皱。采用数值模拟,分析了毛坯形状、模具尺寸对零件起皱缺陷的影响。利用零件展开逆向修正优化,结合试验,在原毛坯缺口处设计有开口的新毛坯;考虑模具材料与钛合金线热膨胀系数差,设计模具尺寸,并进行了650、660、670和680℃下的热成形试验。结果表明,在板料变形集中处开口,能消除成形中起皱缺陷;成形温度影响零件成形品质,温度低、起皱未完全消除;温度高,表面优化加重,成本高,最佳成形温度为670℃。     

基于有机助鞣剂的不浸酸高吸收铬鞣过程研究（一）

从常规铬鞣工艺存在的问题来看,如何再利用制革废弃物,合理使用非可再生的铬资源,减少制革废水中铬和中性盐的污染,便成为制革工作者的重要工作;改善常规铬鞣工艺中的污染问题与浪费问题势在必行。高吸收铬鞣是解决这一问题的不二选择,其中又以不浸酸高吸收铬鞣方法在清洁铬鞣方面前景更好。要提高皮胶原对铬的吸收效率,一个有效的方法就是对皮胶原分子进行改性,以增加皮胶原分子侧链羧基的数量,从化学的角度而言是利用化学材料预先与皮胶原反应,对皮胶原分子进行改性或修饰,增加皮胶原分子与铬盐的结合点,提高结合能力。高吸收有机助鞣剂制备的基本出发点是：用除带有羧基外,还带有其它能与皮胶原分子发生作用的活性基的双（多）官能基的化学材料先与皮胶原作用,把羧基引入皮胶原分子,使得皮胶原所带羧基数量增加,为铬盐提供更多的结合点,增加皮胶原对铬的吸收率和结合率。常规铬鞣工艺中铬鞣剂的吸收率仅为60％～80％,且鞣前必须浸酸,铬鞣后期需提碱,以帮助铬的结合;因此除废液中含有大量Cr2O3外,还存在中性盐的污染问题。基于制革废革屑水解物改性制备的含多种活性基团的高吸收有机助鞣剂,实现了不浸酸、不提碱的清洁铬鞣技术。其突出特点表现在：软化后的裸皮无须浸酸,直接经助鞣剂进行预处理;铬鞣剂用量较常规工艺节省1／3;不需提碱,浴液终点pH约为4．0～4．2;铬鞣废液中Cr2O3含量低至200mg／L以下。成革质量,包括粒面平细度、收缩温度和面积得革率与常规浸酸铬鞣工艺相比无差异。具有良好的社会经济效益,也是实施资源有效利用和循环经济的范例。     

悬挑式下挂箱形结构施工技术总结及概述

针对具有岭南特色的“歇山顶”建筑风格而采用的悬挑式下挂箱形结构传统施工工艺遇到的材料浪费严重、质量差、工效低、成本高等问题,广东仲元中学第二校区工程项目技术团队通过分析该项目下挂式箱形结构的特点,通过将传统现浇结构优化为预制斜挂板单元式构件与现浇楼板支模体系相结合的施工技术,实现了悬挑式下挂箱形结构装配化、标准化、快速施工、绿色环保和降本增效等多个目标。