建立军用Foundry的探索

本文从ASIC的基本特点出发,阐述了建立ASIC标准加工线(Foundry)的重要性;国内集成电路产业已经具备建立Foundry的基础,建立有中国特色的Foundry是可以有所作为的。文章介绍了作者在建立军用Foundry方面的探索和初步成果。     

吐哈盆地丘东洼陷层序基准面旋回与储集性能关系

通过对吐哈盆地台北凹陷丘东洼陷中侏罗统层序基准面旋回与储集层储集性能的对比分析认为，丘东洼陷短期基准面的升降对储集性能具有明显的控制作用，短期基准面上升，储集层储集性能变差；短期基准面下降，储集层储集性能则变好。将中侏罗统短期基准面旋回测井响应模型分为退积-退积型、退积-进积型、进积-退积型和进积-进积型等4种。同时认为，储集层物性随着中期基准面的上升，辫状河道沉积砂体变厚、粒级变粗、砂泥比增大；中期基准面下降、旋回，储集层物性明显变差。指出了相对优质储集层发育的层段对应于基准面较低部位的储集层，丘东洼陷纵向上J2X^4早期和J2s^2是岩性油气藏勘探的有利目标层位；平面上弧形带两翼为有利的岩性油气藏发育区。     

SOI NMOSFET沟道热载流子的应力损伤

研究了沟道热载流子应力所引起的SOI NMOSFET的损伤．发现在中栅压应力（Vg≈Vd／2）和高栅压应力（Vg≈Vd）条件下,器件损伤表现出单一的幂律规律;而在低栅压应力（Vgs≈Vth）下,多特性的退化规律便会表现出来．同时,应力漏电压的升高、应力时间的延续都会导致退化特性的改变．这使预测SOI器件的寿命变得非常困难．     

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。     

MCM计算机辅助设计技术

系统阐述了ＣＡＤ技术在ＭＣＭ设计中的作用、ＭＣＭ ＣＡＤ的环境及ＭＣＭ ＣＡＤ的方法和流程,指出了目前国内外ＭＣＭ ＣＡＤ技术的发展现状和发展趋势,分析了目前ＭＣＭ ＣＡＤ设计技术的研究热点。     

宽带接入网技术

本文简介七种典型的宽带接入网(BAN)技术与特点,以及其他六种接入方式。     

基于减少烟支端面泡皱率装置的研制

为解决ZJ17卷接机组由第二分切圆刀片导致的烟支质量缺陷和停机处理耗时长等问题,设计了一种第二分切圆刀片清洁装置。该装置由清洁剂储存器、清洁剂自动供给系统两部分组成。清洁剂储存器主要为清洁工件提供稳定的清洁剂,清洁剂自动供给系统负责使清洁剂储存装置清洁剂的剂量符合需要。由正交试验可得,清洁装置的最优设计参数为输送通道管径4 mm,清洁工件与圆刀片的重合量8～10 mm,自动供给系统泵启动间隔4 s,自动供给系统泵运行4 s。文章以恩施卷烟厂使用的ZJ17卷接机组为试验对象进行研究,试验结果表明,安装清洁装置后,因分切圆刀片未清洁导致的质量缺陷的发生次数由8.5次/月降至1.67次/月（降幅80%）,停机处理耗时由5.15 h/月降至0.45 h/月（降幅91.2%）,圆刀片的损耗量由7.5张/月降至1.33张/月（降幅82.2%）。也就是说,该技术可为提高卷接设备的生产效率提供有力的支持。     

内控实施“痛点”

公司治理模式可以有很多种标准和框架，而且不同国际框架的标准也是不同的。中国还要去借鉴别人不足的地方改善现有的体制。这对中国来讲是跳跃性的发展。     

聚丙烯防腐夹克料的制备研究

采用交联复合共混技术通过双螺杆反应挤出共混制备了聚丙烯防腐涂层夹克料,考察了螺纹捏合组合强度、螺杆转速及交联剂用量对产品力学性能的影响。结果表明,在12组螺纹捏合组合的条件下,螺杆转速为130 r/min,交联剂用量为0.10 %时制备的聚丙烯夹防腐夹克料力学性能较好,其维卡软化点达到146 ℃,缺口冲击强度常温达到91.5 kJ/m2,特别是0 ℃下的低温冲击性能达到15.2 kJ/m2,熔体流动速率在0.9～1.1 g/10 min之间。     

螺噁嗪类光致变色材料的制备

以吲哚啉螺噁嗪类光致变色染料、水性聚氨酯为主要成分制备了一种光致变色组合物,并测试了其耐光稳定性.结果表明:制得的光致变色材料经氙灯照射50h后仍然具有良好的光致变色性能,该方法显著提高了吲哚啉螺噁嗪类光致变色材料的耐光稳定性.