双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计

为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和横向漏端扩展区的耐压与比导通电阻的优化问题的矛盾。器件仿真和硅晶圆测试数据显示,在0.35μm的工艺平台上,采用新结构的器件在满足100 V的耐压下,比导通电阻达到122 mΩ·mm2。同时,非埋层工艺使成本大幅下降。     

40V高压LCD驱动器工艺研发

随着液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸，高压LCD驱动日渐受到市场的关注，但高电压（40V以上）的工艺在国内基本还处于空白。本文着重介绍40V高压工艺平台所面临的主要问题和关键工艺：锑注入，外延生长之后的光刻对准和非金属硅化物接触孔等。另外，由于成本的控制以及保证相当的市场竞争力，该套工艺开发的掩膜版层数是相当的少，仅有16层，这就给器件的调整带来了极大的复杂度和难度，一次器件的调整往往同时影响好几种器件，顾此失彼。同时基于良率的考虑，我们将主要精力集中在这些关键工艺的开发和器件的调整，最终通过所有的验证，并达到了99％的良率。     

SONOS存储器中隧穿氧化层淀积预清洗工艺研究

介绍了当今业界流行的两种隧穿氧化层淀积预清洗工艺:改进的RCA预清洗工艺以及HF-last预清洗工艺。通过实验对比各自优缺点,分析差异产生的根本原因。相对于改进的RCA预清洗工艺,HF-last预清洗工艺使SONOS存储器阈值电压窗口增大约600 mV。但可靠性测试结果表明,HF-last工艺会降低器件的耐烘烤和耐擦写循环能力。进一步的电荷泵对比实验结果表明,HF-last工艺引起的耐烘烤和耐擦写循环能力的降低,分别由Si-SiO₂界面态增加和隧穿氧化层变薄引起。     

CT引导下射频热凝治疗原发性三叉神经痛的临床疗效

【摘要】 目的 探讨运用CT引导下射频热凝治疗原发性三叉神经痛的临床效果。方法 选取原发性三叉神经痛患者165例作为研究对象,所有患者采用随机抽签法分成射频热凝组和药物毁损组,射频热凝组患者83例,药物毁损组患者82例。射频热凝组采用CT引导下射频热凝治疗三叉神经痛,药物毁损组采用CT引导下经皮穿刺卵圆孔表阿霉素化学毁损治疗三叉神经痛,于治疗后3个月、6个月、1年、3年进行随访,观察两组患者的VAS评分变化、治疗总有效率及并发症发生率指标。结果 射频热凝组优良率明显优于药物毁损组,两组差异有统计学意义（P＜0.05）;两组并发症发生率比较,射频热凝组明显更低,差异有统计学意义（P＜0.05）;两组随访期VAS疼痛评分比较,观察组更低,且远期疼痛情况稳定,总体治疗效果突出。结论 采用CT引导下射频热凝治疗原发性三叉神经痛的临床效果显著,值得推广应用。
     

反溅射再淀积现象研究

本文对经反溅射处理的Ａｌ片，进行ＳＥＭ７剖面观察，发现了反溅射的再淀积现象，对再淀积现象做了对比实验，分析了再淀积的影响因素及其对电路的失效影响。