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1.
张剑平 《中国信息技术教育》2004,(1)
>>>目标
1.学生根据自己设定的相关的研究专题,利用掌握的地理知识,提出研究的问题并通过自我探讨、和同学交流讨论等方式来解决问题,从而建立基本的地理思维.
2.学生能够利用网络搜索、下载以及分析整理相关资料. 相似文献
2.
3.
4.
5.
张剑平 《中国信息技术教育》2004,(2)
时间在指间流淌,准备了近一个月时间,终于要"见人"了,下午第一节课我要上一节网络教学的公开课.午后,窗前,阳光倾泻,我在电脑上最后一遍修改和温故了这节公开课的教案,办公室的钟定格在1点.还有半个小时,闭上眼睛,我与自己有了这样的一次对话. 相似文献
6.
掺Rh对纳米SnO2的气敏性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
以无机试剂为前驱物,采用溶胶—凝胶法合成了纳米级 SnO_2,以此为基材掺入不同量 Rh 作为气敏材料制成气敏元件。测试了它们的阻温特性和气敏性能。通过比较它们对还原性气体的灵敏度和选择性,讨论了掺入 Rh 催化剂对纳米 SnO_2的阻温特性和气敏性能的影响。结果表明,纳米 SnO_2具有特征的阻温曲线。随着 Rh 催化剂掺入,不仅引起电阻增大,同时掺杂 Rh 占据表面活性位,使纳米 SnO_2对表面氧吸附时的物种类型相互转换的影响体现不出来。不过,在工作温度为300℃时。掺入0.2%Rh 催化剂使得纳米级 SnO_2对 C_2H_5OH 和 petrol、H_2的灵敏度提高了10倍以上,而且使其对 petrol 与 C_4H_(10)的选择性检测性提高了3倍以上,对 C_2H_5OH 与 CO 的选择性检测性提高2倍以上。 相似文献
7.
溶胶—凝胶法制备纳米级SnO2 总被引:32,自引:1,他引:32
本文以无机试剂为原料,采用溶胶—凝胶法制备了纳米级SnO2.以TG-DTA热分析、红外光谱及XRD、TEM等测试手段对纳米级SnO2的晶粒生长过程进行了研究.结果表明,当热处理温度<500℃时,晶粒生长缓慢,在600℃热处理2h,能得到晶粒尺寸在十几纳米的SnO2颗粒.而600℃以上的热处理,有可能使晶粒迅速粗大.应用相变理论计算得温度<500℃热处理2h时,晶粒生长活化能为7.02kJ·mol-1,>500℃时,晶粒生长活化能为26.55kJ·mol-1. 相似文献
8.
9.
OLED背光源技术研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
有机电致发光二极管(OLED)因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性,特别是其面光源的属性,相较于电致发光二极管(LED)的点光源,更有望成为未来液晶显示器件背光源的主角。介绍了OLED背光源关键技术的最新进展,分别阐述了白光OLED发光效率的提升,OLED器件稳定性和寿命的提高,OLED制备的最新工艺,偏极化的OLED技术,OLED背光源与液晶显示面板匹配技术,还介绍OLED背光源产业发展及发展现状,并对OLED背光源技术的发展趋势进行了展望。 相似文献
10.
采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。 相似文献