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本文回顾了气敏传感器的发展史,针对限制气敏传感器发展的诸因素,提出了解决问题的思路;指出了集成化的关键在于敏感膜的设计和制备,最后讨论了几种有前途的集成气敏传感器单元。 相似文献
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阵列和模式识别与气敏传感器 总被引：1，自引：0，他引：1
本文介绍几种模式识别方式，指出集成阵列和计算机模式识别是气敏传感器取得突破性进展的关键，有机材料是最有吸收力的敏感材料之一。 相似文献
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三元气敏阵列和有机溶剂识别 总被引：1，自引：0，他引：1
本文用ＳｎＯ２气敏元件构造了三元阵列，使用ｋ－最近邻和加权ｋ－最近邻两种分类器，结果表明，前一分类器对乙醇和汽油的识别率分别为４０％和９０％，后一类分类器则分别为７０％和９０％，模式识别是改善气敏元件选择性的有效途径。 相似文献
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本文报道了一种ＳｎＯ２气敏传感器感机理的新模型。ＳｎＯ２晶粒表面势垒由３个过程控制：（１）氧吸附（作电子受主）和脱附，（２）还原性气体附（作电子施主）和脱附，（３）表面氧化还原反应。据此可以很好地解释实验中发现的氧化压对气敏传感器响应的影响。 相似文献
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还原性气体对SnO_2表面势垒的影响 总被引：1，自引：0，他引：1
建立了SnO_2表面势垒与表面氧化—还原过程的定量关系,其中考虑了氧的O~-形式吸附和还原性气体的电离吸附。其结果表明,还原性气体的电离是SnO_2表面化学物理过程的关键步骤之一。 相似文献
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采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）法制备了ＳｎＯ_２酒敏元件，ＸＲＤ和ＡＥＳ谱表明热处理后己酸亚锡已转化为ＳｎＯ_２。此外还证实ＳｎＯ_２元件的内电势是加热丝偏位引起的热电势。元件的主要技术指标为：灵敏度＞８，选择性＞６，响应时间＜５ｓ，恢复时间＜３０ｓ。 相似文献
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I—V特性法表明单层LB聚酰亚胺膜(～0.5nm)MIS结构的界面态密度为10~(12)～10~(13)cm~(-2)eV~(-1)。对11和41层LB聚酰亚胺膜,DLTS测试得到的界面态密度分别为10~(12)～10~(13)和10~(11)～10~(12)cm~(-2)eV~(-1)。所有结果表明,在硅禁带中央附近具有较大的界面态密度。 相似文献
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聚酰亚胺LB膜MIS结构C—V特性 总被引：1，自引：0，他引：1
本文报道了Ａｌ／ＬＢ聚酰亚胺膜／Ｐ－Ｓｉ（１００）ＭＩＳ结构的Ｃ－Ｖ特性研究结果。６７层ＬＢ膜样品Ｃ－Ｖ特性近乎理想，具有负的固定电荷密度约１０＾１＾１ｃｍ＾－＾２量级，平带时滞后小于０．３Ｖ，对于ＭＩＳ隧道结，除了在－０．５－１．５Ｖ间具有反型层箝位产生的电容峰外，在－１．５－４Ｖ间还出现了另一电容峰值，假设在强电场下隧穿能力剧增，从而结构由隧穿限制区重新进入半导体限制区，可以解释这一峰值的出现 相似文献