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制备条件对反应溅射制备的a—SIC:H膜结构和特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过红外透射谱,可见-紫外透射反射谱和电导率的测量,研究制备条件(射频功率P和CH4流量比rc)对反应溅射法制备的a-Sic:H膜的结构和特性的影响。结果发现,当P=320W,rc=3.41%时,膜的质量较好:带尾较窄,膜中C成四配位,SiC键数目较多,Eopt〉2eV。对实验结果作了初步讨论。 相似文献
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我们正进入一个全新的时代,这将是一个创意可以带来一个产业、改变整个世界的创意时代.以计算机、电子通信和互联网为核心的第三次科技革命即将成为历史,它们将不再是新的经济大浪潮的主角,而是已经转型为载体和驱动力. 相似文献
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由于经济福利的改善、农业生产率的提高、消费者健康意识的增强和食品安全危机等多重影响,欧盟消费者对食品的偏好特征发生了改变,推动了欧盟农业和食品政策关注点从传统的供给和收入问题向食品质量和安全问题转变。本文在论述了消费者偏好变化和欧盟农业与食品政策变革的基础上,分析讨论了消费者对欧盟政策和标准的影响。 相似文献
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本文通过红外透射谱(IR)、拉曼散射谱、电子自旋共振谱(ESR)、光吸收谱、电导率和淀积速率的测量,比较全面地研究了射频功率对反应溅射法淀积的a-Ge:H薄膜特性的影响。发现a-Ge:H膜的淀积速率、氢量、膜结构、光电性能随功率发生规律性的变化。对实验结果作了初步讨论。 相似文献
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氩离子轰击对射频溅射法制备的a—SiC:H膜退火形成6H—SiC的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
本对射频溅射法沉积的a-SiC:H膜热退火形成6H-SiC相进行了研究。我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和X光衍射谱来研究退火形成6H-SiC的过程。在较高的射频功率下沉积的a-SiC:H膜经800℃60分钟等时退火后转变为6H-SiC相,该温度低于在低功率下制备的a-SiC:H形成6H-SiC(1000℃)。高功率可导致6H-SiC形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失,同时高能量的氩离子轰击 相似文献
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氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC∶H膜退火形成6H-SiC的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
本文对射频溅射法淀积的a-SiC∶H膜热退火形成6H-SiC相进行了研究.我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和X光衍射谱来研究退火形成6H-SiC的过程.在较高的射频功率下淀积的a-SiC∶H膜经800℃60分钟等时退火后转变为6H-SiC相,该温度低于在低功率下制备的a-SiC∶H形成6H-SiC的温度(1000℃).高功率可导致6H-SiC形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失,同时高能量的氩离子轰击可使膜中氢含量减少及各组分均相.通过改变射频功率,本文研究了氩离子轰击对a-SiC∶H膜及形成6H-Si 相似文献