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1.
王福臣 《固体电子学研究与进展》1992,(4)
对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44%,而且在2~4GHz的整个S频段均能满意地工作。 相似文献
2.
王福臣 《中国新技术新产品》2018,(16)
本文设计了一种循环检测控制系统,通过PLC系统控制防爆电磁阀循环动作,实现对不同监测点的气体成分检测,并通过触摸屏显示各个检测管路工作状态和气体成分含量。 相似文献
3.
<正>为了满足我国电视卫星低噪声接收的需要,使单片低噪声FET放大器的性能赶上世界先进水平,南京固体器件研究所正抓紧单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器的研究,最近取得了较大的进展.研制的单级单片低噪声FET放大器,芯片尺寸为1×1.2mm,在10.5~12.4GHz带宽内测试,噪声系数为3~3.5dB,相关增益为6.0dB. 相似文献
4.
径向微带线元件的计算方法 总被引:1,自引:0,他引:1
王福臣 《固体电子学研究与进展》1986,(1)
本文给出了设计径向微带线元件的一种工程计算方法.在微波集成电路中,用径向微带线元件组成的偏置电路工作带宽较宽,占用的衬底面积较小. 相似文献
5.
对窄间隙埋弧焊成套设备的组成及工作原理进行分析、论证,确定最佳配置方案,在保证设备使用性能前提下,降低企业成本。 相似文献
6.
报道了全平面C波段功率单片放大器及四单片合成放大器研究结果。单片放大器采用全离子注入工艺,均匀性好,平均成品率40%,可靠性高。工作频率4.7—5.2GHZ,中心频率5.0GHz处输出功率2.5W,增益15dB,功率附加效率31.5%。单片放大器芯片面积2.8mm×2.0mm,四路合成的4×MMIC频率范围不变,中心频率4.95GHz处输出功率8.2W,增益13dB,功率附加效率26%,四路合成效率接近80%。实验结果与理论预测基本吻合。 相似文献
7.
8.
针对当前E-Learning系统在动态知识交流和规模化问题上的不足,本文提出了一个基于P2P和网格技术的E-Learning系统APPLE。该系统给用户提供了一个低成本高效率的E-Learning教学环境。APPLE利用P2P转发技术提供低成本的实时广播来共享实时课堂,通过WSRF.NET来创建虚拟教室服务,并对网络上的学习资源进行整合,提供给用户一个全局的资源视图。 相似文献
9.
<正>本工作的GaAs单片压控振荡器其振荡电路选择了GaAs场效应管作为有源器件,平面肖特基势垒变容二极管(Planar Schottkey Varactor Diode,简称PSVD)作为调谐元件.这种变容管的最大特点是它的工艺与GaAs FET的工艺相容,设计也比较灵活,改变阳极指的长度和宽度就能改变电容比和电容量.但是在有源层临近夹断时,其串联电阻迅速变大, 相似文献
10.
0 前言
在大型锻焊加氢反应器设备中,因结构设计的需要,多数需要在筒体内壁堆焊环形凸台,而且绝大部分为一个筒体有2个环形凸台或有3~4个凸台的情况。堆焊此种环形凸台,常规方法是使用一台堆焊设备,对1个环形凸台单独堆焊,在堆焊过程中要利用丙烷气体进行火焰加热,确保筒体温度不低于150℃,由于堆焊周期较长,因此需要大量的丙烷气体。 相似文献