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1.
2.
薄膜生长初期形貌的计算机模拟与改进 总被引:1,自引:0,他引:1
本文模拟了在低温基底上超薄膜沉积初期表面形貌。文章模拟多个沉积原子同时移动的生长过程,引入了宏观量沉积流量影响。在此基础上讨论了各向异性的影响作用,并改进了模型,修改了基底吸附位置的排列方式,从而获得了与实验结果更相近的图样。 相似文献
3.
刘涌 《电子产品可靠性与环境试验》2002,(1)
德国北威州纳米研究联合会和埃森大学为首的多家科研机械,最近在利用单个电子作为纳米电路开关的研究中取得初步进展。科学家科,这一研究可能为芯片业带来突破。 在普通的硅芯片半导体电路中,微晶体二极管通过电路的接通和断开代表二进制的“1”和 “0”,实现这样一个过程大约需要10万个电子。而德国科学家在研究中发现,由55个金原子在平面分布形成的所谓“纳米簇”可以达到同样的功能,而且实现电路的接通和断开只需要一个电子。早先德国科学家在粑原子组成的“纳米簇” 中也发现了类似的现象,当耙“纳米簇”置于两个铂电极之中并加… 相似文献
4.
为了研究不同电子玻璃的微观力学性能,采用先进的纳米压痕技术记录钠钙硅、无碱硼铝硅和碱铝硅等典型电子玻璃的载荷-位移曲线,利用Oliver-Pharr方法和经典的弹塑性变形理论,计算玻璃的硬度和弹性模量. 玻璃的硬度主要与结构的键合度相关,平均非桥氧数越高,外力作用下越容易致密化,硬度越小;弹性模量主要取决于质点间的化学键强度,化学键力越强,变形越小,弹性模量越大;九点法测得的弹性模量与硬度的变化趋势不完全相同,借助硬度-弹性模量-能量耗散之间的本征关系,评价玻璃样品的微观均匀性,其中无碱硼铝硅玻璃的恢复阻力大,局部能量耗散大,不容易引起整体破坏,力学性能最好;与浮法工艺相比,溢流下拉法制备样品的局部力学性能波动较小,微观均匀性较好. 相似文献
5.
使用改进的常压化学气相沉积(APCVD)系统制备了非晶硅薄膜,测量了样品的光致发光特性,使用Raman光谱和X射线光电子能谱(XPS)谱测量了薄膜的微结构特征.样品在523 nm出现发光峰,Raman光谱和XPS谱表明制备的薄膜结构中存在富氧相和富硅相的分相现象,分析认为相界面的存在是产生发光的原因.Raman光谱分峰结果表明薄膜中存在纳米晶粒. 相似文献
6.
在中国,或许再没有哪一个城市基于现代性的发展尝试,像西安这样会被人不断地用历史性的眼光来审视,甚至是审判。 相似文献
7.
8.
SiO_2:F薄膜作为low-e玻璃的功能层材料,广泛应用于节能镀膜玻璃。对帮化学气相沉积法在玻璃表面沉积的约250 nm厚的SiO_2:F薄膜进行不同气氛的退火处理。结果发现,薄膜的电学、光学性能在氦气和空气两种不同的退火气氛下会有显著的变化。SiO_2:F薄膜的Low-e性能经过空气中高温退火下降明显。但在空气中退火后,再在氮气保护下退火,性能会有所恢复。对该现象的机理也进行了研究。 相似文献
9.
10.
美国半导体器件的失效率及其计算方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用美国哈里斯半导体器件公司的实例数据介绍了如何采用新概念计算半导体失效率的方法,并收集了近年来发表的部分半导体器件失效率的数据(其中早期失效率数据是利用60%置信度计算出来的,长期失效率是利用激活能和60%置信度计算出来的),同时还分析了自1995年以来美国半导体失效率的变化趋势或可靠性改进的情况,以供参考。 相似文献