全文获取类型
收费全文 | 570篇 |
免费 | 38篇 |
国内免费 | 37篇 |
专业分类
电工技术 | 57篇 |
综合类 | 45篇 |
化学工业 | 60篇 |
金属工艺 | 26篇 |
机械仪表 | 55篇 |
建筑科学 | 66篇 |
矿业工程 | 18篇 |
能源动力 | 12篇 |
轻工业 | 31篇 |
水利工程 | 26篇 |
石油天然气 | 43篇 |
武器工业 | 16篇 |
无线电 | 71篇 |
一般工业技术 | 35篇 |
冶金工业 | 12篇 |
原子能技术 | 31篇 |
自动化技术 | 41篇 |
出版年
2024年 | 25篇 |
2023年 | 24篇 |
2022年 | 20篇 |
2021年 | 26篇 |
2020年 | 33篇 |
2019年 | 28篇 |
2018年 | 26篇 |
2017年 | 7篇 |
2016年 | 17篇 |
2015年 | 23篇 |
2014年 | 38篇 |
2013年 | 30篇 |
2012年 | 22篇 |
2011年 | 40篇 |
2010年 | 32篇 |
2009年 | 33篇 |
2008年 | 28篇 |
2007年 | 28篇 |
2006年 | 22篇 |
2005年 | 16篇 |
2004年 | 23篇 |
2003年 | 22篇 |
2002年 | 18篇 |
2001年 | 23篇 |
2000年 | 7篇 |
1999年 | 7篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 1篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
排序方式: 共有645条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
本文以陶艺家作品的符号性语言研究为出发点,围绕符号性语言的提取、设计、拓展及其运用,剖析陶艺家的作品符号如何在艺术衍生品中进行有价值的转换。 相似文献
2.
3.
4.
研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优化无氨氮化硅薄膜生长条件和硅腐蚀液温度,得到了高质量的氮化硅薄膜,颗粒以及针孔密度较少,0.2μm以上颗粒度小于100,提高了硅腐蚀掩蔽选择比。实验结果显示优化生长条件的氮化硅薄膜(衬底温度350℃,功率30 W),在85℃的TMAH硅腐蚀液中,硅的腐蚀速率为68μm/h,氮化硅薄膜腐蚀速率为33.2 nm/h,硅与氮化硅的腐蚀选择比为2 048,满足MEMS体硅腐蚀工艺对于掩膜特性的要求。 相似文献
5.
从物理层安全的角度出发,在含有协作中继的通信网络中,通过选择最优中继来传递信息可有效提升系统性能。讨论了在含有多个单天线窃听用户的多中继通信系统中对最优中继的选择方案,并对系统采用放大转发(amplify-and-forward,AF)协议和解码转发(decode-and-forward,DF)协议这两种不同的情况分别进行了讨论和比较,同时还对比了不含中继的直接传输情况。理论分析和仿真结果表明,最优中继选择方案可有效保障系统的安全性能。 相似文献
6.
基于微电子机械系统(MEMS)工艺设计并制作了一种THz垂直转接结构,该结构采用6层硅片堆叠的硅微波导形式。理论分析计算了垂直转接结构的参数,并使用三维电磁场分析软件HFSS对该结构进行了模拟仿真。设计得到了中心频率为365 GHz、带宽为80 GHz、芯片尺寸为10 mm×7 mm×2.7 mm的THz垂直转接结构。给出了一套基于MEMS工艺的硅微波导的制作流程,制作了365 GHz垂直转接结构并对其进行测试。获得的THz垂直转接结构的回波损耗随频率变化的测试结果与仿真结果基本一致。采用MEMS工艺制作的硅微波导垂直转接结构具有精度高、一致性好、成本低的特点,满足THz器件的发展需求。 相似文献
7.
8.
瑞典虽然是个北欧小国,但其国防工业的发达程度却令人挑指称赞,一大批国际性军工企业活跃在国际军火市场上。瑞典研制的武器虽然性能上无法同美俄等国相比,但也有自己的优势;性能上够用,价格相对低廉。当然,在炮弹、精确制导武器等这种小件上,瑞典武器是丝毫不输给这些大国生产的武器的。本文就为大家介绍瑞典生产的独具特色的轻型鱼雷。 相似文献
9.
基于单壁碳纳米管(SWCNT)的场效应气体传感器由于具有传感性能好、体积小、室温操作和加偏压自我解吸附等优良性能,有着广泛的应用前景。利用单壁碳纳米管自组装技术在SiO2/Si基底上制备均匀分布的SWCNT薄膜,将其作为沟道制作了具有灵敏开关特性的场效应晶体管(FET),该FET器件的开关比达到105。将此FET器件作为气体传感芯片用于甲基膦酸二甲酯(DMMP)气体分子的检测。结果显示,当通入DMMP气体时,器件的阈值电压向负栅电压方向移动。当DMMP体积分数为5×10-6,栅压为-10 V时,器件的灵敏度达到32%,响应时间为300 s。在15 V的栅压下器件能够很快地实现气体解吸附。 相似文献
10.
介绍了Modbus RTU通讯协议,阐述了如何在Visual Basic 6.0环境下利用MSComm控件实现可编程以太网控制器PEC8000与计算机串口通讯的技术,并给出了相应的程序设计过程。 相似文献