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1.
CAESAR技术——CAT,CAD,CAE技术与疲劳寿命定量控制的现代设计技术
储佳千
郑路
《中国机械工程》
1997,8(3):46-48
综述了我国与发达国家机械设计水平的现状,着重介绍了CAESART技术的结晶--MOPS和586例携式计算机组成的流动式现代设计工作站的应用领域。
相似文献
2.
一种新的SOI技术——智能切割
储佳
路景刚
叶龙飞
杨德仁
阙端麟
《半导体技术》
2001,26(1):18-20
智能切割是一种应用于SOI的新技术,它的最大特点是能高效地利用原材料,大幅度降低成本,本文综述了硅片键合原理和智能切割的工艺原理、优点及其影响因素。
相似文献
3.
硅片清洗研究进展
总被引:9,自引:0,他引:9
储佳
马向阳
杨德仁
阙端麟
《半导体技术》
2001,26(3):17-19,34
综述了清洗液的组成、特点、清洗机理、对硅片表面质量的影响以及清洗技术和理论的发展;着重指出了,改进的RCAI对颗粒度、微粗糙度和金属沾污作用的机理,讨论了它与清洗顺序的关系,极度稀释的RCA2能使金属沾污降至10∧10原子/cm∧2以下,且不易使颗粒重新沉淀;最后介绍了清洗工艺的最新进展。
相似文献
4.
直拉硅中氧化诱生层错研究进展
总被引:1,自引:0,他引:1
储佳
杨德仁
阙端麟
《材料导报》
2001,15(11):35-37
硅中的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大的影响,为提高硅片质量,要求对OSF有充分了解。综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了OSF的形成动力学、影响因素和检测方法,并指出:OSF是一种由点缺陷行为决定的工艺诱生缺陷。
相似文献
5.
硅片表面微粗糙度的研究进展
储佳
马向阳
杨德仁
阙端麟
《半导体技术》
2000,25(5):22-24
报道了用氦离子注入智能肃离形成SOI结构硅片的新技术,介绍了这种技术的工艺和用剖面透射电镜研究的结果。氦离子用等离子体浸没离子注入技术注入硅片中。
相似文献
6.
材料与工艺在包装设计实践教学中的探讨
储佳
叶松
《包装世界》
2011,(2):39-40
实践教学是包装设计课程的重要环节之一,材料与工艺又对实践操作影响很大。且在低碳生活背景之下,两者的结合显得势在必行。本文通过对该课程大纲在相关院校中的比较,充分考虑时下的发展状况,从研究对象、实施方法和考核内容等方面进行阐述,提出了实践教学环节改革的具体设想。
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