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根据某具体工程水文地质条件进行了基坑止水设计分析,在支护桩外围采用了高压喷射注浆法进行止水,详细介绍了具体的施工方案及技术要点,并阐述了相应的质量及安全控制措施,实践证明,该方案设计与施工技术安全可靠,达到了预期效果,值得推广。 相似文献
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刘兆慧 《建筑·建材·装饰》2015,(10)
所谓沥青路面水损害,是指沥青路面在有孔隙水的工作条件下,由于交通动荷载和温湿胀缩的反复作用,进入路面孔隙的水不断产生动水压力或真空负压抽吸的循环作用,致使水分逐渐侵入沥青与集料的界面,造成沥青膜从集料表面剥落、沥青混合料内部逐渐丧失粘结力、路面结构使用性能下降,并伴随麻面、松散、掉粒、坑洞或唧浆、网裂、辙槽等病害发生,同时诱发其他路面病害的损坏现象。 相似文献
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花青素属于多酚类化合物,具有较强的清除自由基和抗氧化能力。其中,飞燕草型花青素具有更强的抗氧化能力。茄子皮中色素含量较高,主要含有飞燕草型花青素。该试验先采用浓度为50%~80%的乙醇溶液作为提取剂对茄子皮浸泡得到花青素粗溶液,然后采用6种树脂分别对不同的花青素粗溶液进行纯化处理。试验结果表明当提取剂为70%乙醇溶液,吸附树脂为D113型时,得到的花青素提取率最高为1.83 mg/g。与标准样品进行比对后,确认从茄子皮中所提取到的花青素类型为飞燕草型花青素。 相似文献
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主要围绕工程项目建设过程中,对工程项目文档资料的管理现状进行了分析,针对目前普遍存在的不重视项目文档管理、会制约工程建设项目管理水平和效益的提升甚至会遗留安全、质量等方面的问题,提出了改进文档管理的方法和措施。 相似文献
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阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。 相似文献
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偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺,即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O2体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明,该工艺有效地改善了SiC MOS电容的栅氧击穿特性,降低了界面态密度,提升了平带电压稳定性。二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子能谱(XPS)测试分析表明,掺氯热氧化技术能够有效消除界面缺陷。进一步分析表明,SiC掺氯热氧化技术能够降低可动离子面密度和氧化层陷阱电荷密度,能够有效改善器件的BTI特性。 相似文献
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