“BJ”涂料在电弧炉电极上的应用

降低电弧炉电极消耗的有效方法是在石墨电极表面喷涂电极涂料,采用“BJ”电极涂料,吨钢电极消耗可以降低2Kg左右。     

带有流化床盐酸再生装置的高效无废液排放的酸洗设备

新开发的具有高速，浅酸洗槽和控制湍流状态的酸洗工艺，能缩短酸洗时间，获得均匀酸洗表面并过酸洗。增加的流化床酸再生系统提供的无废液排放操作使得酸洗每吨材料的盐酸消耗低于０．２ｋｇ。     

Ti6Al4V表面增强CrN和TiN薄膜

目的 研究表面增强氮化铬(CrN)和氮化钛(TiN)薄膜与Ti6Al4V(TC4)基体的适应性。方法 采用热丝增强等离子体磁控溅射技术,通过改变热丝放电电流,在TC4合金表面制备CrN、TiN薄膜。采用扫描电子显微镜、X–射线衍射仪、纳米压痕仪、洛氏硬度计和摩擦磨损测试仪分别表征薄膜的组织形貌、成分、相结构、内应力、纳米硬度、弹性模量及耐磨性。结果 随着热丝放电电流从0 A增加至32 A,等离子体密度增大,薄膜表面形貌由较疏松的四棱锥形转变成致密球形,截面柱状晶排列更加致密;薄膜择优取向从低应变能的(111)取向转变为低表面能的(200)取向;无热丝放电时TiN薄膜内应力高于CrN薄膜,随着热丝放电电流的增大,TiN薄膜内应力逐渐低于CrN薄膜;并且随着热丝放电电流的增大,薄膜的弹性模量与硬度均增大,但相同试验条件下CrN薄膜的弹性模量与硬度均低于TiN薄膜;压痕检测结果表明,薄膜与基体结合完好;低载荷摩擦磨损检测结果表明,硬度及弹性模量较高的TiN薄膜磨损量最低。结论 在相同等离子体密度能量轰击下,硬度和弹性模量较高的TiN薄膜内应力增幅较小;低载荷磨损时,弹性模量及硬度较高、内应力较低的TiN薄膜更适用于Ti6Al4V基体的增强改性。     

类金刚石膜对铝合金疏水结构耐久性能影响

为提高2024铝合金疏水及耐蚀性能,利用电化学刻蚀结合等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在其表面制备微纳米浮凸疏水结构及类金刚石(DLC)薄膜。利用接触角测量仪、电化学工作站及冲刷试验装置,对不同处理工艺下2024铝合金的疏水、耐蚀及疏水耐久性能进行了研究,并讨论了相应的作用机制。结果表明,电化学刻蚀后2024铝合金与水的静态接触角可达到130o以上,疏水性能显著提高。阻抗结果表明,刻蚀后阻抗模值提高了约8倍,腐蚀电流密度降低了两个数量级,耐蚀性能显著提高。刻蚀后镀非晶态惰性DLC膜的铝合金,其阻抗模值可达1.016×10⁷Ω·cm^-2,可有效阻碍腐蚀过程的电荷转移和离子传输电荷的传递,显著延长疏水结构的耐久性能。     

脉冲偏压对316L不锈钢表面类金刚石薄膜腐蚀行为影响EI北大核心CSCD

为了提高不锈钢的耐局部腐蚀性能,采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)技术,在316L不锈钢表面制备含氢类金刚石(Diamond-like carbon,DLC)薄膜,研究不同脉冲偏压对薄膜的杂化结构及腐蚀行为的影响,并对相关影响机制进行讨论。结果表明,脉冲偏压主要影响316L不锈钢表面DLC薄膜的杂化结构及微观形貌,并最终影响其腐蚀行为。随着脉冲偏压的增加,等离子体电离程度增大,沉积过程中的热峰效应和溅射效应增强,DLC薄膜中的氢含量减少,降低了薄膜局部腐蚀敏感性,薄膜点蚀坑数量减少。但同时薄膜中sp^(2)杂化结构的相对含量会随脉冲偏压升高而增加,导致薄膜腐蚀速率加快,点蚀坑半径增大。随着偏压从1.4 kV增加到2.6 kV,316L不锈钢的年腐蚀速率由9.33 nm/y增大到62.4 nm/y。脉冲偏压为1.4 kV时,虽然年腐蚀速率最低,但薄膜最易发生点蚀,其长期服役寿命较差;而偏压为2.6 kV时,等离子体能量过高,薄膜被过度刻蚀,导致其缺陷增多,耐蚀性变差。在研究范围内,脉冲偏压为2200 V时,DLC薄膜具有较高的耐点蚀能力和较低的年腐蚀速率,表现出最佳的综合耐蚀性能。     

粉末靶磁控溅射制备F掺杂SnO2薄膜的结构及光学性能

采用粉末靶射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备氟掺杂二氧化锡(FTO)薄膜。结果表明:制备的样品为多晶薄膜,具有二氧化锡的四方金红石结构。沉积气氛的含氧量增加,会使薄膜的主要择优取向由(211)转变成(110)。除沉积气氛中无氧的超厚薄膜外,其他FTO可见光区平均透光率可达90%。     

真空热蒸发镀CIAS薄膜

采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备Cu In0.7Al0.3Se2(CIAS)薄膜,并对之进行450℃真空硒化退火处理。结果表明,制备的CIAS薄膜具有黄铜矿结构并且以(112)晶面优先生长。真空硒化退火后,薄膜晶体结构更完整,晶粒长大,成分分布均匀,更接近CIAS晶体的化学计量比。薄膜为P型半导体,退火后的薄膜禁带宽度减小至1.38 e V,带电粒子数下降至2.41E+17 cm-3,带电粒子迁移率增加至5.29 cm2/(N·s),电阻率升高至4.9Ω·cm。