热氧化GaN制备的β-Ga2O3基日盲紫外探测器

利用热氧化法将电化学腐蚀制备的多孔GaN薄膜氧化成三维孔隙状β-Ga₂O₃薄膜,分析了多孔GaN薄膜与传统GaN薄膜在氧化机理上的区别,并通过材料表征证明了多孔GaN薄膜能够实现更快的氧化速率。随后将氧化生成的β-Ga₂O₃薄膜制备成MSM型β-Ga₂O₃基日盲紫外探测器,在260nm光照及10V偏压下,器件的响应度为16.9A/W,外量子效率为8×10³%,探测率D*达到了2.03×10¹⁴Jones,能够满足弱光信号的探测需求。此外,器件的瞬态响应具有非常好的稳定性,相应的上升时间为0.75s/4.56s,下降时间为0.37s/3.48s。     

界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin探测器光电响应的影响

设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法.     

自回转刀具速度方向后角和临界倾斜角的研究

引出了速度方向后角的概念 ,推导出了一般表达式 .从速度方向后角的角度出发 ,推导在速度方向后角等于零时的临界刀具倾斜角的一般公式 ,分析了其在各种影响因素下的变化趋势 .最后得出了临界刀具倾斜角与工件半径、刀具半径和刀具后角成正比关系和与切削深度成反比等结论 ,对自回转刀具在实际生产中的应用具有一定指导意义 .     

非对称InGaN多量子阱发光二极管的发光分布和空穴输运

为研究多量子阱中的发光分布和空穴输运,制备了非对称InGaN/GaN 多量子阱（MQW）发光二极管。在电注入下,具有wNQW有源区结构（靠近p的第一个阱QW1比其他QWs较宽）的样品只有一个来自QW1的发光峰,而具有nWQW有源区结构的样品具有一个短波长发光峰和一个长波长发光峰,分别来自QW1和后面的QWs。增加QW1和后面QWs之间的势垒厚度,来自后面QWs的长波长发光峰减弱,总的发光强度也随之减弱。结论是具有nWQW和薄势垒的非对称耦合MQW结构可以改善空穴输运,从而增强后面QW的发光,提高LED内量子效率。     

MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜

本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同Al组分AlxGa1-xN薄膜(0.13相似文献   

AlGaN /GaN分布布拉格反射镜的设计与表征

设计了反射中心波长为500nm的Al0. 3 Ga0. 7N /GaN和AlN /GaN两种分布布拉格反射 镜(DBR) ,并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了理论上的模拟。采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了样品。实际测量的样品反射谱中有明显的反射峰,但峰值波长与理论设计有偏差,峰值反射率也比理论设计值偏低。SEM和AFM测量结果表明:这是由生长层厚与设计的偏差和界面不平整引起的。     

AlGaN /GaN分布布拉格反射镜的设计与表征

设计了反射中心波长为500nm的Al0.3Ga0.7N/GaN和AlN/GaN两种分布布拉格反射镜（DBR）,并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了理论上的模拟.采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上制备了样品.实际测量的样品反射谱中有明显的反射峰,但峰值波长与理论设计有偏差,峰值反射率也比理论设计值偏低.SEM和AFM测量结果表明：这是由生长层厚与设计的偏差和界面不平整引起的.     

自回转刀具速度方向后角和临界倾斜角的研究

引出了速度方向后角的概念,推导出了一般表达式．从速度方向后角的角度出发,推导在速度方向后角等于零时的临界刀具倾斜角的一般公式,分析了其在各种影响因素下的变化趋势．最后得出了临界刀具倾斜角与工件半径、刀具半径和刀具后角成正比关系和与切削深度成反比等结论,对自回转刀具在实际生产中的应用具有一定指导意义．     

AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外探测器

设计了目标探测波长为320nm的AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外光电探测器,共振腔由分别作为底镜和顶镜的AlN/Al0.3Ga0.7N布拉格反射镜和空气/GaN界面组成,有源区p-GaN/i-GaN/n-Al0.38Ga0.62N被置于腔内.该结构采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底和GaN模板上外延生长得到.光谱响应测试显示了正入射时该器件在波长313nm处出现响应的选择增强,零偏压下响应度为14mA/W.     

Effects of the p-AlInGaN/GaN superlattices’structure on the performance of blue LEDs

The advantages of the p-AIInGaN/GaN superlattices＇ （SLs） structure as an electron blocking layer （EBL） for InGaN blue light-emitting diodes （LEDs） were studied by experiment and APSYS simulation. Elec- troluminescence （EL） measurement results show that the LEDs with the p-AllnGaN/GaN SLs＇ structure EBL ex- hibited better optical performance compared with the conventional A1GaN EBL due to the enhancement of hole concentration and hole carrier transport efficiency, and the confinement of electrons＇ overflow between multiple quantum-wells （MQWs） and EBL.