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研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优化无氨氮化硅薄膜生长条件和硅腐蚀液温度,得到了高质量的氮化硅薄膜,颗粒以及针孔密度较少,0.2μm以上颗粒度小于100,提高了硅腐蚀掩蔽选择比。实验结果显示优化生长条件的氮化硅薄膜(衬底温度350℃,功率30 W),在85℃的TMAH硅腐蚀液中,硅的腐蚀速率为68μm/h,氮化硅薄膜腐蚀速率为33.2 nm/h,硅与氮化硅的腐蚀选择比为2 048,满足MEMS体硅腐蚀工艺对于掩膜特性的要求。 相似文献
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本文分析了当前数据库系统的安全性问题,从操作系统、用户、管理以及数据库内部四个方面分析了数据库系统存在的安全风险,并在此基础上提出了降低数据库系统风险的相关安全策略及措施. 相似文献
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徐永青 《计算机工程与应用》2008,44(30):125-127
头部压缩可以提高链路传输效率,但现有压缩方法基于差分编码方式,压缩效率易受丢包影响,在误码率高的无线链路上反而会降低传输效率。为此,提出一种新的IPv6头部压缩方法SBHC。主要思想是利用IPv6头部变化少的特点,采用基于替换的方式实现压缩行为,克服了差分编码方式存在的弊端。性能测试结果表明,SBHC压缩方法可以有效提高无线链路的传输效率。 相似文献
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加密环境中的无线TCP性能优化 总被引:1,自引:0,他引:1
TCP是一种广泛使用的可靠传输协议,它的设计基于拥塞是引起丢包主要原因的假设。但在无线网络中,丢包通常是传输差错的缘故,这导致了TCP传输性能的急剧下降。现有不少无线TCP传输性能优化方法要求中间节点能够获得TCP连接信息,因此不适用于数据流被加密的情况。文中提出的丢包识别机制可应用于加密环境,它通过TCP发送端判断丢包原因并采取相应措施来提高传输速率,仿真结果证明该方法是有效的、鲁棒的,在局域网和广域网环境中都能明显提高TCP端到端传输性能。 相似文献
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本文分析了当前数据库系统的安全性问题,从操作系统、用户、管理以及数据库内部四个方面分析了数据库系统存在的安全风险,并在此基础上提出了降低数据库系统风险的相关安全策略及措施。 相似文献
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徐永青 《数字社区&智能家居》2007,(21)
本文介绍了双机热备对提高系统可靠性和可用性方面的重要作用,通过对实现双机热备系统的几个方案的比较选择,提出了基于证券业应用背景的应用级双机热备方案,并就此方案的具体设计思路进行了讨论. 相似文献
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Au/Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Au/Sn共晶圆片键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,盖帽层采用Ti/Ni/Au/Sn/Au结构,器件层采用Ti/Ni/Au结构,盖帽层腔体尺寸为4.5 mm×4.5 mm×20μm,Au/Sn环的宽度为700μm,优化了键合工艺,对影响气密性的因素(如组分配比、键合前处理和键合温度等)进行了分析。两层硅片在氮气气氛中靠静态的压力实现紧密接触。在峰值温度为300℃、持续时间为2 min的条件下实现了良好的键合效果,其剪切力平均值达到16.663 kg,漏率小于2×10-3 Pa·cm3/s,满足检验标准(GJB548A)的要求,验证了Au/Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中的适用性。 相似文献