我厂栲胶法脱硫应用效果小结

由我厂和广西化工研究所等单位开发的栲胶法脱硫,经我厂多年运行说明,此方法无论是在气体的净化度,溶液硫容量,副反应生成率和硫磺回收率等多项指标,都能与改良ADA法媲美。     

PDS脱硫技术在我厂的应用

我厂是以煤为原料的中型氮肥厂。脱硫原设计为改良ADA法,1978年与广西化工研究所等单位开发应用了栲胶法脱硫,1987年又应用了东北师大研制的PDS脱硫工艺,从1987年10月22日正式向系统投加PDS,一直使用至今未变,取得理想的效果。     

电除尘装置上氧分析仪的应用

电除尘装置对半水煤气中的含氧量,要求十分严格。其氧含量工艺技术指标规定必须小于0.5%,如超过了规定值,将会引起电除尘装置的爆炸。为了避免事故的发生,应监测入电除尘的半水煤气氧含量。我公司造气分厂选择了四川仪表九厂的CJ-03型氧分析仪。现介绍一下我厂的使用情况。1　取样点的位置为了防止氧分析仪滞后时间过长,分析取样点应设置在远离电除尘装置而接近气源的地方。如果取样点离电除尘装置太近,若遇到高浓度氧,氧分析仪还未能反应,就有可能已进入电除尘装置,这种情况是十分危险的。我公司造气分厂电除尘装置的氧分析取样点,设在粗…     

喷射再生在栲胶脱硫中的应用

在栲胶脱硫中,喷射再生是利用喷射器使栲胶脱硫液高速通过喷嘴形成射流,产生负压吸入空气,两相流体被高速分散而处于高度涡流状态,空气呈气池状分散于液体中。气液接触面比高塔再生大大增加,并不断更新,从而使栲胶脱硫液的吸氧速度大为     

车载IGBT器件封装装片工艺中空洞的失效研究

IGBT芯片在TO-220封装装片时容易形成空洞,焊料层中空洞大小直接影响车载IGBT器件的热阻与散热性能,而这些性能的好坏将直接影响器件的可靠性。文章分析了IGBT器件在TO-220封装装片时所产生的空洞的形成机制,并就IGBT器件TO-220封装模型利用FEA方法建立其热学模型,模拟结果表明:在装片焊料层中空洞含量增加时,热阻会急剧增大而降低IGBT器件的散热性能,IGBT器件温度在单个空洞体积为10%时比没有空洞时高出28.6℃。同时借助工程样品失效分析结果,研究TO-220封装的IGBT器件在经过功率循环后空洞对于IGBT器件性能的影响,最后确立空洞体积单个小于2%,总数小于5%的装片工艺标准。     

圆片级封装的研究进展

圆片级封装(wafer level package,WLP)因其在形状因数、电性能、低成本等方面的优势,近年来发展迅速。概述了WLP技术近几年的主要发展。首先回顾标准WLP结构,并从焊球结构等方面对其进行了可靠性分析。其次介绍了扩散式WLP工艺以及它的典型应用,并说明了扩散式WLP存在的一些可靠性问题。最后总结了WLP技术结合硅通孔技术(TSV)在三维叠层封装中的应用。     

硅通孔技术的发展与挑战

3D堆叠技术近年来发展迅速,采用硅通孔技术(TSV)是3D堆叠封装的主要趋势.介绍了3D堆叠集成电路、硅通孔互连技术的研究现状、TSV模型;同时阐述了TSV的关键技术与材料,比如工艺流程、通孔制作、通孔填充材料、键合技术等;最后分析了其可靠性以及面临的挑战.TSV技术已经成为微电子领域的热点,也是未来发展的必然趋势,运用它将会使电子产品获得高性能、低成本、低功耗和多功能性.     

铜线键合技术的发展与挑战

铜线键合技术近年来发展迅速,超细间距引线键合是目前铜线键合的主要发展趋势.介绍了铜线键合的防氧化措施以及键合参数的优化,并从IMC生长及焊盘铝挤出方面阐述了铜线键合的可靠性机理.针对铜线在超细间距引线键合中面临的问题,介绍了可解决这些问题的镀钯铜线的性能,并阐述了铜线的成弧能力及面临的挑战.