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铁电180°畴结构在超声波作用下将被诱导出沿畴壁传播的铁电畴层波,其电场导致了构成铁电180°畴结构的晶体的电光效应,畴结构的光率体发生了改变,晶体的主折射率受到激发铁电畴层波的超声波的调节。这一效应在声光控制和超声检测方面有应用价值。 相似文献
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用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4–xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x=0.80时,薄膜具有最大的剩余极化(Pr),在应用电压为10V时,Pr及Ec分别达到27×10–6C/cm2和70×103V/cm。在1MHz时,Au/BNT/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到1010后表现出较好的抗疲劳特性。 相似文献
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本文介绍一种利用半导体偶对的显著的珀尔贴效应来实现致冷的电子致冷组件,实现电路高精度测量的方法,讨论了该装置的结构,并且给出了与微机的接口以及微机控制的方法。 相似文献
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应用大功率CO_2激光器非平衡态高温、快速合成陶瓷新工艺,合成了Al_2O_3-WO_3系线性NTC热敏材料。并从激光合成工艺、材料组成、热老化、材料的抗氧化性及耐酸碱性等方面对合成陶瓷材料进行了试验。 相似文献
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CO_2激光合成陶瓷的研究 总被引:3,自引:2,他引:1
本文介绍了用CO_2激光合成Al_2O_3、Al_2O_3-5%mol Cr_2O_3固熔体,Al_2O_3-20%wtZrO_2(+3%molY_2O_3)混合体和Al_2(WO_4)_3陶瓷材料的方法。激光合成的Al_2(WO_4)_3为Al_2O_3-WO_3二元平衡相图中不存在的新化合物。对激光合成的陶瓷材料进行了组织形貌分析,并测量了其显微硬度,发现用激光合成的陶瓷较用昔通工艺制备的同种陶瓷有更高的硬度。 相似文献
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本文利用透射电镜(TEM)及能量色散X射线衍射分析(EDAX)技术对激光合成的Al2O3-WO3陶瓷材料进行分析.TEM分析表明,在Al2O3-WO3材料的胞状结构中,Al2O3形成柱状单晶且Co轴平行生长轴,Al2(WO4)3及AlxWO3位于Al2O3柱状晶间界;非平衡相AlxWO3中存在畴及超晶格结构,Al3+对WO3母体网格A位占位是有序的.EDAX结果则指出合成材料Al2O3晶粒中W杂质的浓度随配料WO3含量的增加而增大;样品合成过程中激光功率从最高值连续降低至0瓦可减少Al2O3晶粒W的掺入量;高温下对合成样品长时间热处理可使W杂质从Al2O3中释放出.材料电性质测试结果表明,材料电阻率与其中Al2O3晶粒W含量紧密相关,W的含量越高,材料电导率越大. 相似文献
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用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄膜BIT/p-Si(100)和PZT/p-Si(100),借助于X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了薄膜的显微结构,并对这两种极薄铁电薄膜Au/BIT/p-Si(100)和Au/PZT/p-Si(100)的J-V曲线温度特性进行了拟合分析讨论。模拟分析结果表明,在负温区,电流密度J对温度T有较强的依赖关系,但与通常欧姆电流温度关系不同。而在正温区,服从J=KV^2关系,ε和SCLC电流密度J则与温度T无关。 相似文献
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本文探讨了总结合能Λ′、结合能(升华能)Λ和有效结合能Λeff,与扫描隧道显微镜(STM)场蒸发的关系。计算表明,随着探针样品间距d减小,Λeff迅速减小,而Λ′不断增加。相应地采用Λeff计算的蒸发场强随着d减小而迅速减小,且能给出与实验相吻合的结果。而采用Λ′计算的蒸发场强随着d减小会出现一个峰值,该峰值超过当d为无穷大时的蒸发场强,明显与实验矛盾。当使用Λ时,蒸发场强随着d减小变化缓慢,而且高出实验测量值几倍。本文认为在STM场蒸发中真正起作用的是有效结合能Λeff。 相似文献