共腔双稳态半导体激光器的实验研究

本文对SiO_2掩蔽隔离的脊形波导条形结构 InGaAsP/InP DH双稳态激光器进行了研究,这种器件具有内部Q开关特性.对其稳态L-1特性,阈值电流与温度的关系,激射光谱与温度的关系及在激射情况下的光谱特性进行了测量,得到了初步的结果.     

双区共腔双稳态激光器在光注入下的计算机模拟

本文对双区共腔半导体双稳态激光器在从吸收区背面及沿轴向外部光注入下的稳态及瞬态特性进行了计算机模拟,得到稳态光开关及光放大特性,瞬态情况下随着注入光的增强输出由近混沌状脉动到单峰快衰减张弛振荡而更强光注入时则仅存在一延迟过程.     

CCTS结构GaAs/AlGaAs单量子阱双稳态激光器

本文报道了CaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)双区共腔(CCTS)结构的双稳态激光器,给出了增益区和吸收区分别注入电流时的三端器件结构。并在脉冲工作下得到了双稳特性。     

双区共腔双稳态激光器电注入下特性的计算机模拟

本文对双区共腔半导体双稳态激光器在电注入下的稳态及瞬态特性进行了计算机模拟,这种模型产生双稳和自脉动现象的机制是不均匀电注入本征可饱和吸收特性,我们研究了与可饱和吸收有关的几个参数r、ξ、J_1、J_2对双稳及自脉动现象的影响.     

硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究

本文研究了硼注入绝缘ＩｎＰ和Ｎ型ＩｎＰ的电性质．硼注入是在１００ｋｅＶ能量下，剂量从１e１２到１e１６ｃｍ－２范围内进行．注入后的退火在纯氮气的保护下由１００℃到７００℃范围变化．硼注入半绝缘ＩｎＰ的结果表明，硼注入诱导形成载流子分布．硼注入Ｎ型ＩｎＰ后形成高阻绝缘层，其电阻率随退火温度变化出现两个峰值．本文还讨论了硼注入层电性能变化的机理．     

InGaAsP/InP CCTS双稳态激光器的纵模及偏振特性

本文给出了InGaAsP/InP CCTS双稳态激光器的模式特性。通过实验得到对双稳态激光器来说其吸收区的存在,使其对偏振及纵模的选择有一定的作用,使得TM模的输出强度在总输出中占的比例更小,及在双稳区内给出单纵模输出。     

半导体双稳态激光器在光注入下的实验研究

本文报道了InGaAsP/InP 双区共腔脊形波导双稳激光器在外光注入下产生光-光双稳特性及光-光放大的实验结果,给出了器件在直流及脉冲工作时的光-光双稳特性,并对结果进行了初步分析.