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电子技术实践教学作为一门课程,应全面贯彻新课程改革的要求,才能有利于提高学生的理论与技能相结合,动手能力与动脑能力相结合,等全面发展。新课程电子技术教学教师是参与者,学生是主体,教师引导学生主动参与、探究发现、交流合作的学习,全面贯彻落实新课改下电子技术实践教学的实施。 相似文献
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零空闲流水车间问题(NIFSP)是流水车间问题中带有约束条件的典型NP-hard问题,在大多数现实场景下,零空闲约束是对机器的基本要求。而目前关于NIFSP问题提出的算法对于较大规模算例、综合性能及参数调整的灵活性较差。为此,以最小化最大完工时间为目标,提出了一种可变内部迭代算法VIIA。在VIIA的初始化阶段,使用改进的FRB5产生初始解,提高了FRB5的效率,在保证算法性能的同时极大地缩短了CPU消耗时间。在破坏重建阶段,通过增加对移除工件块数量的内部迭代,从而灵活调整参数值。VIIA增大了邻域搜索,以适应不同规模的算例。为了验证VIIA算法的性能,将该算法与在流水车间调度问题中表现优秀的几种算法进行了比较。实验结果证明了VIIA在NIFSP问题求解上性能的优越性,并且在最优解的搜索上,性能明显优于对比算法。 相似文献
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阴极蒸镀和隔离层对有机发光二极管性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
制备了简单结构的有机发光二极管(OLED)ITO/NPB/Alq3/Al/Ag。实验结果表明,快速蒸镀法制备的Ag阴极越厚,器件性能越差,而慢速蒸镀200nmAg阴极时器件性能也较差。在Alq3与Al阴极之间插入BCP/C60/LiF隔离层后,即使快速蒸镀法制备的Ag厚达280nm,器件的最大电流密度、最大亮度和最大电流效率仍分别高达248.6mA/cm2、5380.7cd/m2和3.52cd/A。隔离层不仅保护NPB和Alq3基本不被玻璃化,还很好地与Alq3和Al阴极匹配,大大提高了器件性能。 相似文献
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采用共沉淀法制备了新型吸附剂硅酸铁,通过FTIR、XRD、SEM、N2吸附-脱附等方法对它的形貌与结构进行了表征,并考察了吸附时间、吸附剂用量、温度及溶液pH对模拟废水中苯酚吸附特性的影响。实验结果表明,硅酸铁吸附剂比表面积高达566.0 m~2/g,平均孔径为3.5 nm;当模拟废水中苯酚初始质量浓度为100 mg/L、吸附剂加入量2 g、吸附时间120min、吸附温度25℃、pH为7时,苯酚的去除率和吸附量分别为74%,3.7 mg/g;拟合的吸附等温线与Langmuir模型符合,因此对苯酚的吸附是单分子层吸附。 相似文献
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离子轰击MgO薄膜二次电子发射的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
氧化镁因其二次电子发射系数高、抗溅射能力强等优异的性能,广泛应用于平板显示器等电子器件中,其二次电子发射性能有重要的研究价值。介绍了离子轰击下氧化镁薄膜发射的二次电子的典型测量装置及相关研究结论,总结了离子轰击下氧化镁薄膜二次电子的发射特性,同时对离子轰击的材料产生的二次电子发射的研究提出了建议。脉冲中和法比较适用于离子轰击下的氧化镁薄膜的二次电子发射的测量;不同晶面的MgO薄膜的二次电子发射系数不同,(111)晶面最高;低能离子入射情况下,二次电子的能量分布与离子类型无关。 相似文献
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制备了结构为ITO/CuPc(25nm)/NPB(40nm)/Alq3(xnm)/C60(ynm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的有机发光二极管(OLEDs),研究了C60插入层对器件性能的影响。结果表明,在无C60的器件中,当Alq3层较厚时,器件的电流密度-电压(J-V)曲线右移,不利于获得高功率效率;当Alq3层较薄时,又会导致激子在LiF/Al阴极的严重淬灭。实验优化得出,在无C60的器件中,Alq3厚为45nm的器件可获得最高的功率效率。在Alq3与LiF之间插入15nmC60层后,对器件的J-V曲线几乎没有影响,但C60层阻挡了激子向阴极扩散,减少了淬灭。当在Alq3厚度为45nm的器件的Alq3和LiF间插入15nmC60层后,可使器件获得更高的功率效率,尤其是插入15nmC并将Alq厚度降至30nm,获得了最大的功率效率。 相似文献