NTC热敏薄膜的研究进展

综述了负温度系数(NTC)热敏薄膜目前最常用的四种制备工艺,即:蒸发法(evaporation),磁控溅射法(magnetron sputtering),脉冲激光沉积法(PLD)和金属有机物热分解法(MOD),分析了这几种工艺的优缺点及国外的研究进展。并简要介绍了NTC热敏薄膜在传感器等方面的应用和发展前景。     

钛酸锶钡铁电薄膜的制备与性能优化研究

综述了目前钛酸锶钡(BST)铁电薄膜最为常用的4种制备工艺:磁控溅射法(Magnetron Sputtering)、脉冲激光沉积法(PLD)、溶胶-凝胶法(Sol-gel)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)。并介绍了在优化BST铁电薄膜性能方面所作的工作和取得的成果。     

双轴应变下GaN有效质量的计算及其对迁移率的影响

通过计算双轴应变下氮化镓的电子能带结构,给出了GaN有效质量与应变的变化关系。在弛豫时间近似的条件下,这种关系决定了双轴应变AlGaN/GaN中二维电子气(2DEG)的迁移率的改变。在其他物理参量不变的情况下,这种二维电子气迁移率将随着张应变的增加而增加,并随着压应变的增加而减小。计算结果表明,张应变对2DEG迁移率的影响要比压应变大。此外,GaN有效质量的变化在低温时对迁移率的作用更明显。而在低温低浓度的条件下,迁移率却对有效质量的依赖很小。     

钛酸锶铅铁电薄膜的制备、应用及其研究进展

综述了钛酸锶铅(PST)铁电薄膜目前最常用的4种制备工艺:溶胶-凝胶(Sol_gel)法、磁控溅射(Magnetron Sput-tering)、脉冲激光沉积(PLD)和金属有机化学气相沉积(MOCVD),并简要介绍了PST目前的研究进展以及PST薄膜在铁电移相器、动态随机存储器(DRAM)和热释电红外探测器方面的应用,提出了发展展望。     

退火工艺对钛酸锶钡薄膜结构的影响

采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜,在500~750℃之间对薄膜快速退火。XRD分析表明:500℃时BST薄膜开始晶化为ABO3型钙钛矿结构,温度越高结晶越完整,晶粒越大。理论计算表明,薄膜在低温退火后无择优取向,高温退火后在(111)、(210)晶面有择优取向。退火气氛、保温时间、循环次数等因素对薄膜晶粒大小无明显影响,但对表面粗糙度和结晶程度影响较大。     

基于ADSP-21161N的TFT-LCD驱动电路的设计

介绍了一种基于ADSP-21161N的TFT-LCD驱动电路的设计方法。功能强大的数字信号处理器ADSP-21161N有两个高速的并行传输链路口,可以分别实现视频数据的实时输入和输出。用高性能DSP能实时灵活地实现伽玛校正、时基校正、图像优化和系统全局时序逻辑控制等功能,而且系统的通用性好,还能利用DSP的丰富接口资源,实现功能扩展和人机交互。     

一种小规模LCD驱动电路IP核的设计

介绍一种全新LCD驱动电路IP核的总体设计。该IP核具有优异的移植性,能使LCD驱动电路的规模可调,而且通过微调就能驱动多数小规模LCD。采用自顶向下的设计方法将其按功能划分为几个主要模块,并分别介绍各个模块的功能。用VHDL语言对LCD驱动电路IP核进行描述,并用FPGA进行系统实现,最后通过仿真验证。     

BNST薄膜电容的制备及电性能研究

采用磁控溅射法在覆釉95-Al2O3陶瓷基片上制备了BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(BNST)微波介质薄膜为介质的金属-绝缘体-金属结构电容器。原子力显微镜(AFM)显示在800℃退火0.5 h后的BNST薄膜晶粒形状完整;XRD图谱显示薄膜化后BNST晶体面间距减小;电性能测试表明,1 MHz频率下BNST薄膜介电常数为77.2,介电损耗为0.25%,-55~125℃范围内介温系数为-51.8×10-6/℃,30 V偏压下漏电流密度为3.28×10-8A/cm2。     

TFT-LCD驱动电路的设计

薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）具有重量轻、平板化、低功耗、无辐射、显示品质优良等特点，其应用领域正在逐步扩大，已经从音像制品、笔记本电脑等显示器发展到台式计算机、工程工作站（EWS）用监视器。对液晶显示器的要求也正在向高分辨率、高彩色化发展。     

掺Sb、Mn钛酸钡系陶瓷的组成显微结构和PTC性能间的关系

本文阐述了关于掺Sb、Mn钛酸钡系陶瓷的组成、显微结构和PTC性能间的关系的实验和研究结果。阐明了当Sb、Mn的掺入量变动时,该系材料存在三个组成区(即I_1,S,I_2);其外观颜色、电性能及显微结构间存在确定的规律性关系;在ρ_(RT)最小、ρ_(max)/ρ_(min)最大的材料中,Mn和Sb的掺入量之间存在经验公式为[Sb]=A+B[Mn]的线性关系;S区内存在PTC性能较好的B组成区,以B区配方配制的材料,其ρ_(max)/ρ_(min)大于10~6,α_(min)大于60％/℃,可达100％/℃。