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1.
在密闭的氮气气氛下,用伽马射线辐照聚二甲基硅橡胶泡沫,采用全反射红外光谱(ATR)和X射线光电子能谱(XPS)对辐照后的化学结构和元素含量变化进行了表征.结果表明:化学结构单元Si-CH3最容易受到伽马射线的影响,在低的辐照剂量下表面Si-CH3成分随着辐照剂量增加而减小;高剂量下材料的元素分布发生了变化,近表面C元素含量要比泡沫体中部的C元素含量高.因此,在密闭环境下辐照老化后的硅橡胶泡沫的表面性能和体内性能存在差异.  相似文献   
2.
带着盛夏的酷热,2005年第7期《机械工程师》又和您见面了。细心的读者早就发现,今年的《机械工程师》厚了,重了,载文量多了,信息量大了,内容丰富了,编排新颖了,印制精美了……总之,无论是内在质量还是装帧设计,都有了很大的改变。的确,《机械工程师》正在改变,而改变最大的,还是编者自己。我们删除了气馁,恢复了自信,建立了目标;我们下载了责任,发送了决心,预定了成功。我们,朝着办精品期刊的奋斗目标,笔耕在每一期杂志的字里行间。我们,带着中国制造走向世界的理想,行进在中国机械工程师的队列里。我们勤奋敬业,秉守编德,我们踏实认真,团队…  相似文献   
3.
采用辐射法合成了明胶/羧甲基纤维素钠(CMC-Na)/聚乙烯吡咯烷酮(PVP)水凝胶,利用索氏提取器、紫外-可见分光光度计以及原子光谱仪分别对其溶胀性、pH值敏感性、凝胶含量及其对Cr(Ⅵ)的吸附性能进行了测试分析。在剂量率约为83 Gy/min,吸收剂量为15、25、35和45 kGy条件下,明胶/CMC-Na/PVP质量比为4∶1∶2、4∶1∶5和2∶1∶5的明胶/CMC-Na/PVP水溶液经辐照均能交联合成水凝胶。在高纯水中,该类水凝胶溶胀率分布于11~56之间;在pH=1的高氯酸溶液中,所有凝胶的溶胀率较之水溶液中均有所下降,说明这类水凝胶对pH值敏感。不同原料比例生成的水凝胶,其溶胀率并未随吸收剂量的增大而呈现出明显的增加。比例为4∶1∶5的水凝胶溶胀性能最为优良,其溶胀率最大值为56。合成的明胶/CMC-Na/PVP水凝胶可在1个月内完全腐化分解,说明在PVP中添加明胶和CMC-Na后,引入了天然高分子材料优良的降解性能,加速了凝胶分解,缩短了降解时间。同时,发现该类凝胶具有极强的吸Cr(Ⅵ)能力,可达0.539 g/g。  相似文献   
4.
在许多装置中常需对运动件的负载加配重。由于空气弹簧承载力大和寿命长,因此它的使用最为普遍。然而空气弹簧的压缩力比其拉伸力要大得多,所以这种差异不利于垂直滑动负载的配重。对该种负载,最好能在压缩弹簧里装个拉杆,这种压缩弹簧具有空气弹簧承载力大寿命长的优点,并且克服了空气弹簧的不足。  相似文献   
5.
如今,销售型验光师已经不是一个陌生的概念了,验光师参与销售也不再是一个新鲜的话题。验光师参与销售就如同医生根据患者的病情,给予准确用药处方一样,是运用自己所学的专业知识,结合店内产品,针对顾客实际需要给予合理化建议而已。验光师参与销售,既能体现验光师的作用,又可以帮助眼镜店创造更大的效益。  相似文献   
6.
建立了一种γ吸收剂量率实时在线测量系统,研究了半导体硅光电池BBZSGD-4辐射光生电流和γ吸收剂量率之间的关系,并对其耐辐照性能进行了研究。60 Coγ辐照实验表明:半导体硅光电池BBZSGD-4对60 Co的γ射线有较好的响应,其辐射光生电流与吸收剂量率的关系呈线性规律。当吸收剂量率为94.54Gy/min时,辐射光生电流可达1.26μA。在吸收剂量率为50Gy/min时,辐射光生电流随总吸收剂量的增加呈指数下降,总吸收剂量为5 445.8Gy时,其辐射光生电流衰减1%。半导体硅光电池BBZSGD-4具有作为实时在线低吸收剂量率探测器的潜力。  相似文献   
7.
通过对桦木、杨木等低档速生木材为基材浸入注入性较好的聚合物单体,经过γ射线辐照即可获得木塑复合材料(WPC)。所得到的木塑复合材料(WPC)具有较高的力学强度及较好的尺寸稳定性、耐磨和耐腐性能。同时,WPC表面自身光泽度高,着色性能好,制品色彩多样,无需油漆,维护方便,使用寿命是普通木材的8-10倍,可广泛用于公共场所和住宅居室的地板铺砌以及高档家具、楼梯踏板、体育用品、文娱用品等的制作以及不适合使用金属材料的场合。  相似文献   
8.
SQL Server数据库是当今有代表性的大型网络数据库之一,存储过程(Stored Procedure)是一组为了完成特定功能的SQL语句集,经编译后存储在数据库中,可以作为一个单元被用户的应用程序直接调用。触发器是一种特殊类型的存储过程,主要是通过事件进行触发自动执行。笔者在开发了大宗商品现货电子撮合交易系统的基础上,总结了存储过程和触发器的基本概念及具体应用,展现了其在数据库开发中强大功能和使用特点。  相似文献   
9.
在辐射环境中,电子系统常用的半导体器件及电路会出现不同程度的性能退化,甚至发生失效.其根本原因来源于辐射致组成半导体器件的材料内部缺陷的产生和积累.表征和分析辐射致材料内部缺陷的种类、浓度、分布等信息,是半导体材料辐射效应研究的重要内容.从辐射致缺陷微观形貌、结构特征,及其引起的宏观电效应三方面,归纳总结了几种重要的半导体材料辐射效应的表征和分析方法,分析了每种方法的优缺点及适用范围,并指出半导体材料辐射效应表征与分析技术发展的方向,可为电子器件、半导体材料辐射效应领域的研究人员提供参考.  相似文献   
10.
利用重金属工艺可提高器件可靠性,低能γ将使器件高Z/低Z界面附近产生剂量增强效应,影响器件抗辐射性能评估。介绍了一种强钴源低能散射γ成分评价方法,利用铝单层室壁/金铝双层室壁平板型电离室辐射电流比值对γ能量敏感的特性,通过比较电流比值实测与参考值的差异,估计散射γ(≤300 ke V)成分是否过多,典型钴源能谱计算结果表明:参考值可取为2.8。研制了量程为0.01~2.3 Gy·s~(-1)(Si)的电离室探头,搭建了长距离辐射电流测量系统。单板钴源实验结果表明:空场条件和铅铝容器(散射抑制)内辐射电流比值实测结果与预期相符,方法可行;能够检验能谱硬化技术的有效性;可从剂量角度关联不同辐射场或相同辐射场不同辐照工位。  相似文献   
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