离子注入中的硅片冷却

1.前言近几年来在半导体制造业中使用离子注入工艺已显著增加。这一迅速增长的主要因素是在注入工艺中采用光刻胶作掩蔽。最大分辨率是由正胶,即光刻时暴露在其中的部分显影时被去掉的那种胶取得的。通常,正胶对于温度相当敏感,在注入中过高的温度会使光刻胶产生气泡,改变临界尺寸并在其后工艺中使胶难以去除。大多数光刻胶在100℃以下不受影响。注入时几乎没有什么正胶能经得起150℃以上的温度。     

超大规模集成电路微细光刻中光刻胶的粒子控制

超大规模集成电路工艺中所需的粒子控制,无论在理论上还是在实际中都是困难的。当线宽缩小到微米和亚微米大小时,尺寸为最小条宽十分之一到四分之一的粒子会影响光刻胶的完整性和电路的工作。光刻胶工艺过程中的粒子控制不仅包括容器中光刻胶的清洁程度,而且还必须注意从预清洗到腐蚀和去胶各道工序中所有操作步骤的净化问题。为了使污染以及由污染造成的成品率损失有效地减小到最低程度,了解光刻胶加工过程中所有材料的反应是重要的。     

快速热退火离子注入硅时的磷扩散

研究了快速热退火时离子注入硅中磷的扩散。我们依靠注入的剂量发现了两种截然不同的扩散行为。低剂量(1×10~(14)cm~(-2))P~+注入硅发现有一个剖面再分布,该再分布在900℃温度下退火10秒钟即可观察到,但在800～1150℃温度范围与温度无关。这个初给再分布比起通常的扩散系数数质所预计的要快得多。高剂量(2×10~(15)cm~(-2))P~+注入硅经短时(10秒)退火后掺杂剂分布的变宽现象与温度有密切关系,其实验分布与浓度增强扩散分布是一致的。